Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Приемопередатчик с радиочастотной выборкой Преобразователь уровня логики Интерфейсная ИС - многоскоростной ретаймер Расширитель SAS Модуль усилителя мощности Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор Высокоскоростной компаратор Интерфейс - многоскоростной таймер Контроллер USB Процессор сигналов ПЗС Фотометрические передние панели Изолирующие усилители Контроллер цифрового дисплея Цифровой контроллер Аудиопроцессоры

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио Soc

защита цепи

IC для подавления перенапряжения ESD подавители/TVS диоды Газоразрядные трубки - ГРТ / Газоплазменные ограничители TVS — гибридная технология

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Круглые разъемы Автомобильные разъемы Краевые разъемы карты Межплатные и мезонинные разъемы FFC, FPC (плоские гибкие) разъемы Разъемы объединительной панели Прямоугольные разъемы Коаксиальный разъем (РЧ) Прямоугольные разъемы — массив, край, мезонин (плата к плате)

Датчики

Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики - датчики освещенности, инфракрасные датчики, ультрафиолетовые датчики Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Оптические датчики - окружающее освещение Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп Ультразвуковой приемник, передатчик (измерение расстояния) Оптические датчики - Отражающие - Логический выход Сенсорный модуль Датчик давления Текущие датчики Емкостные сенсорные датчики

Память

Флэш-память NOR оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Встраиваемые и сетевые процессоры

Безопасные процессоры
Первая страница /дискретный полупроводник

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

STL175N4LF8AG

STL175N4LF8AG

ST

Produktbeschreibung:N-канальный логический уровень 40 В, 2,2 мОм макс, 167 A STripFET F8 Силовой MOSFET

пакет:PowerFLAT-4
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STL170N4LF8

STL170N4LF8

ST

Produktbeschreibung:N-канальный логический уровень 40 В, 2,2 мОм макс, 167 A STripFET F8 Силовой MOSFET

пакет:PowerFLAT-4
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STL305N4LF8AG

STL305N4LF8AG

ST

Produktbeschreibung:Автомобильный N-канальный повышающий логический уровень 40 В, 0,75 мОм макс., 373 А Силовой MOSFET

пакет:PowerFLAT-4
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STL165N10F8AG

STL165N10F8AG

ST

Produktbeschreibung:N-канальный силовой МОП-транзистор STripFET™ F7 на 100 В, 5 мОм, 107 А, в корпусе PowerFLAT™ 5x6

пакет:PowerFLAT-4
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STL300N4LF8

STL300N4LF8

ST

Produktbeschreibung:N-канальный повышающий логический уровень 40 В, 0,8 мОм макс., 360 А, силовой MOSFET

пакет:PowerFLAT-4
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STL160N10F8

STL160N10F8

ST

Produktbeschreibung:N-канальный 100 В, 3,2 мОм макс, 158 A STripFET F8 Силовой MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6

пакет:PowerFLAT-4
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STG200G65FD8AG

STG200G65FD8AG

ST

Produktbeschreibung:По состоянию на конец IGBT-рифт-поля, 650 V, 200 A-липучка SMD

пакет:SMD
10 шт.
3222
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STGD4H60DF

STGD4H60DF

ST

Produktbeschreibung:IGBT канавка полевого отсека 600 В 8 А 75 Вт тип поверхностного монтажа DPAK

пакет:TO-252
10 шт.
3222
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STGWA40H65FB

STGWA40H65FB

ST

Produktbeschreibung:IGBT-канальная линия имеет предел в 650 V, 80 A, 283 W-тоннель TO-247

пакет:TO-247-3
10 шт.
3222
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
RF5L052K0CB4

RF5L052K0CB4

ST

Produktbeschreibung:2000 W, 50 V, HF to 500 MHz транзистор

пакет:D4E
10 шт.
1222
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
RF5L05500CB4

RF5L05500CB4

ST

Produktbeschreibung:550 W, 50 V, HF to 250 МГЦ транзистор LDMOS

пакет:LBB
10 шт.
1222
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STW50N65DM2AG

STW50N65DM2AG

ST

Produktbeschreibung:N-канальный 650V 28A (Tc) 300W (Tc) сквозное отверстие TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STW57N65M5

STW57N65M5

ST

Produktbeschreibung:N-канальный 650 В 42А (Тс) 250 Вт (Тс) сквозное отверстие TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STW52NK25Z

STW52NK25Z

ST

Produktbeschreibung:N-канальный 250V 52A (Tc) 300W (Tc) сквозное отверстие TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STW30N80K5

STW30N80K5

ST

Produktbeschreibung:N-канальный 800В 24А (Тс) 250Вт (Тс) сквозное отверстие TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STW75N60DM6

STW75N60DM6

ST

Produktbeschreibung:N-канальный 600 В 72A (Tc) со сквозным отверстием TO-247-3

пакет:TO-247-3
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 189 записи«Предыдущая страница1234...12Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler