Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

GAN039-650NTBZ

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N канал 650 V 58.5A (Tc) 250 W (Tc) CCPAK1212i

пакет:CCPAK1212i
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NBBHP

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 650 V 60A (Tc) 300 W (Tc) CCPAK1212

пакет:CCPAK1212
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANB4R8-040CBAZ

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET тип поверхностного монтажа N-канал 40 V 20A (Ta) 13W (Ta) 22-WLCSP (2.1x2.1)

пакет:WLCSP-22
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANE3R9-150QBAZ

Produktbeschreibung:Нитрид галлия (GaN) FET Поверхностно-монтажный N-канал 150 V 100 A (Ta) 65 W (Ta) VQFN

пакет:VQFN-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF060120D7A0J

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) MOSFET N канал 1200 V 38A (Tc) 167 W (Tc) TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF040120L4A0Q

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) тонкое отверстие N, канал 1200 V 65A (Tc) 306W (Tc) TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF040120D7A0J

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) N канал 1200 V 65A (Tc) 306W (Tc) TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF030120D7A0J

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) N канал 1200 V 67A (Tc) 306W (Tc) TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF080120D7A0J

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) N канал 1200 V 33A (Tc) 167W (Tc) TO-263-7

пакет:TO-263-7
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NSF080120L4A0Q

Produktbeschreibung:Карбид кремния (SiC) тонкое отверстие N канал 1200 V 35A (Tc) 183W (Tc) TO-247-4

пакет:TO-247-4
10 шт.
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
PSMN2R3-100SSEJ

Produktbeschreibung:N-канальный 100 В, 2,3 мОм МОП-транзистор с улучшенным SOA в LFPAK88

пакет:LFPAK88
10 шт.
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK7V4R2-40HX

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 40V 98A (Ta) 85W (Ta) с поверхностной наклейкой LFPAK56D

пакет:LFPAK56D
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK7J1R4-40HX

Produktbeschreibung:Поверхностно-монтажный N-канал 40 V 120A (Ta) 395W (Ta) LFPAK56 Power-SO8

пакет:LFPAK56
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK7K32-100EX

Produktbeschreibung:MOSFET-массив 100V 29A 64W с поверхностной наклейкой LFPAK56D

пакет:LFPAK56D
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK9M4R3-40HX

Produktbeschreibung:Поверхностный транзакционный канал N 40 V 95A (Ta) 90W LFPAK33

пакет:LFPAK33
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK7S1R0-40HJ

Produktbeschreibung:Ffpak88 (SOT1235) — транзит с поверхности N-каналом 40 V 325A (Ta), 375W (Ta).

пакет:LFPAK88
10 шт.
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
всего 55 записи«Предыдущая страница1234Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler