Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Shenzhen Mingjiada Electronics Co, Ltd [Поставка карбид кремния MOSFET] Импортный оригинал C3M0016120D 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET сквозное отверстие N канал 1200 В 115A(Tc) 556W(Tc) TO-247-3

Описание продукта:

МОП-транзисторы Wolfspeed SiC C3M позволяют повысить частоту переключения и уменьшить размер устройства для индукторов, конденсаторов, фильтров и трансформаторов. МОП-транзисторы SiC C3M обеспечивают более высокую эффективность системы и меньшие требования к охлаждению. МОП-транзисторы также повышают плотность мощности и частоту преобразования системы.

C3M0016120D Силовой МОП-транзистор из карбида кремния C3MTM MOSFET с технологией N-канального режима усиления.

Технические характеристики продукта:

Производитель: Wolfspeed

Категория продукта: Карбидокремниевые МОП-транзисторы

Режим канала: Улучшение

Конфигурация: одиночный

Время спада: 27 нс

Прямая проводимость - мин: 53 S

Непрерывный ток стока Id: 115 A

Максимальная рабочая температура: + 175 C

Минимальная рабочая температура: - 40 C

Стиль монтажа: сквозное отверстие

Количество каналов: 1 канал

Упаковка / корпус: TO-247-3

Рассеиваемая мощность: 556 Вт

Тип изделия: SiC MOSFETS

Qg-заряд затвора: 207 нК

Rds Сопротивление включения стока: 22,3 мОм

Время нарастания: 28 нс

Количество в заводской упаковке: 30

Подкатегория: Транзисторы

Технология: SiC

Полярность транзистора: N-канальный

Типичное время задержки выключения: 84 нс

Типичное время задержки включения: 174 нс

Vds - напряжение пробоя сток-исток: 1,2 кВ

Vgs - напряжение затвор-исток: - 8 В, + 19 В

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1,8 В

Вес устройства: 6 г

Если вы заинтересованы, пожалуйста, свяжитесь с г-ном Ченом по телефону:

Тел: +86 134101018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Домашняя страница компании: www.hkmjd.com