Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet переключатель шины дифференциальный усилитель Аналоговый переключатель перекрестных точек Передатчик HDMI драйвер лазера ИС аналоговых переключателей Ультразвуковой приемник Мультиплексоры и демультиплексоры Видеопроцессор Видеокодер Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС Искусственный интеллект чипы Интерфейс - Ретаймер трансимпедансный усилитель Ускоритель ближней памяти CXL и контроллер расширения памяти Аналоговый умножитель Интерфейсные микросхемы RS-422/RS-485 Изолированный CAN-трансивер Усилитель приборов Коммутаторы PCI Express Автомобильная система-на-кристалле Безопасность и сертификация IC Балансер/привод/ретранслятор

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы

фильтр

Полосно-задерживающие фильтры фильтр низких частот полосовой фильтр SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Коммуникация ближнего поля (NFC) WiFi Bluetooth Wi-Fi Чип Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Модули беспроводной связи Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

ИИ процессорный чип

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Карбид кремния (SiC) JFET Кремниевые диоды силовой модуль Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Обжимной проводной разъем Коннектор Nearstack ExtremePort Swift Разъемы Multi-Trak™ Разъемы Разъемы VITA 67.3 Разъемы SpaceVPX VITA 78 Разъем ExtremePort Z-Link Разъемы Displayport Магнитные джековые разъемы Разъемы SAS/PCIe 5.0 Разъемы SAS/PCIe 4.0 Мини-разъем USB Разъемы SFP112G Разъемы MiniSAS HD Разъемы OSFP-XD Разъемы DSFP Разъемы CXP Разъемы QSFP Разъемы OSFP Разъем SFP Разъемы CFP2 Разъемы ввода-вывода Mini Cool Edge Разъемы SlimSAS™ Разъемы Mini-SAS высокой плотности

Датчики

Магнитно-резистивные датчики Датчик угла наклона Переключатели на эффекте Холла Индуктивный датчик Замки и переключатели с эффектом Холла Биосенсор Датчики времени пролета Кондиционеры сигналов датчиков оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Контроллеры SSD AI Память F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

AI Ускоритель

Контроллеры NVMe
Новая информация
динамика компании
Профессиональная информация
Первая страница /динамика компании /

Высокочастотный малошумный усилитель BGA10H1MN9 с усиленным шаговым управлением и управлением MIPI

Высокочастотный малошумный усилитель BGA10H1MN9 с усиленным шаговым управлением и управлением MIPI

Источник:Этот сайтвремя:2024-05-24количество просмотров:

Знакомьтесь:BGA10H1MN9 разработан специально для 4G и 5G приложений, охватывающих диапазон частот 3GPP между 2,3 и 2,7 ГГЦ (например, B7 и B41). В связи с …

Знакомьтесь:

BGA10H1MN9 разработан специально для 4G и 5G приложений, охватывающих диапазон частот 3GPP между 2,3 и 2,7 ГГЦ (например, B7 и B41). В связи с высоким усилением и сверхнизким коэффициентом шума, потери на передней стороне ЛНК могут быть компенсированы, а скорость данных значительно возросла. Интерфейс MIPI предоставляет полный контроль над многими моделями усиления и смещения, чтобы увеличить динамический диапазон системы в целом.


Параметры BGA10H1MN9:

Частота: 2,3 ГГЦ — 2,7 ГГЦ

P1dB: — 19dBm

Добавка: 19,7 dB

Коэффициент шума: 12,9 dB

Тип rf: 4G, 5G

Напряжение: 1,1 V - 2V

Электроснабжение: 7.5 ма

Тестовая частота: 2,6 ГГЦ

Уровень:

статус

Тип установки: тип поверхностной наклейки

Инкапсуляция/оболочка: 9-XFLGA

Упаковка оборудования поставщика: PG-TSNP-9-2


Характеристика:

Диапазон частот варьируется от 2,3 до 2,7 ГГЦ

Увеличение мощности: 19,7 dB

Низкий коэффициент шума: 0,8 dB

Низкий расход энергии: 6,0 ма

Получить поддержку моделей MediaTek, LSI и hd платформы

- стандарт RFFE 3.0

Внутренний выход RF соответствует 50 омега

Поддержка 1.2 V и 1,8 V VDD/VIO

Программируемая компания MIPI RFFE USID

Поддержка 4 - х USIDs

Маленький размер 1,1 мм, икс 1,1 мм

Инкапсуляция соответствует стандартам RoHS и WEEE


Приложение:

• LTE / 5G смартфонов и промышленных приложений


Карта рамки：

框图.png

Если вам интересно, обратитесь к мистеру чену за советом:

Телефон: +8613410018555

Почтовый ящик: sales@hkmjd.com


GS61008T-мистер 100 V CoolGaN ™ e-mode мощност транзистор китайск параметр возвращение
список Поставка [ST Bluetooth Chip] BLUENRG-248 Bluetooth Низкой Энергии Беспроводная Система На Чипе

Iсправка

рекомендовать продукцию

88E1112-C2-NNC1C000

88E1112-C2-NNC1C000

 VSC7425XJG-02

VSC7425XJG-02

 VSC7552TSN-V/5CC

VSC7552TSN-V/5CC

 VSC7427XJG-02

VSC7427XJG-02

 88E6190-A0-TLA2C000

88E6190-A0-TLA2C000

 XC6VLX195T-2FFG784C

XC6VLX195T-2FFG784C
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler