Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Краткий обзор:

GS6100x 100V E-HEMT транзистор — прибор для усиления мощности кремниевого нитрида Галлия. Эти транзисторы обладают свойствами гена, которые могут обеспечить высокий ток, высокое напряжение и очень высокую частоту переключателей. Транзистор GS6100x использует схему island technology для обеспечения высокоэнергетических чипов и высокой производительности. Кроме того, они используют ганокс, обеспечивающий низкий электропроводящий и низкое тепловое сопротивление в небольших упаковках. Транзистор GS6100x обеспечивает минимальное тепловое сопротивление узлов до оболочки для высокомощных приложений. Все эти характеристики соединяются, обеспечивая очень эффективные переключатели питания.

Параметры GS61008T-MR:

Технология: ган-н-СИ

Стиль установки: SMD/SMT

Упаковка/упаковка: GPX

Полярность транзистора: N-Channel

Количество каналов: 1 чаннел

Источник утечки: 100 вт

Ток непрерывного потока: 90 A

Сопротивление потока Rds On- утечка: 9.5 момс

Vgs-сетка-источник напряжения: 10 V, + 7 V

Пороговое напряжение Vgs th- решёточного источника: 1.1 V

Заряд сетки Qg- 8 nC

Минимальн рабоч температур: - 55 ° C

Максимальн рабоч температур: + 150 ° C

Полиция-потеря мощности

Режим канала: Enhancement

Торговая марка: "ганпэкс"

Серия: GS6100x

сингла

Пакет разработки: GS61008P-EVBHF

Чувствительность к влажности: да

Тип продукции: MOSFET

Единица веса: 3 g

Приложение:

Непрерывный источник питания (UPS)

Промышленный электродвигатель

робототехника

Беспроводная электрическая передача

Скоростная зарядка батареи

Усилитель класса д

Система накопления энергии

Коммутатор переменного тока /DC (вторичная сторона)

Привод с тягой

В случае необходимости обратитесь к мистеру чену:

Телефон: +8613410018555

Почтовый ящик: sales@hkmjd.com