Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. поставляет с склада MOSFET-транзисторы Infineon N-канальные силовые MOSFET BSC052N08NS5 OptiMOS™ 5 80V, которые подходят для телекоммуникационных приложений, таких как серверные источники питания, коммуникационное оборудование и т. д.

Описание продукта

BSC052N08NS5 входит в серию Infineon OptiMOS™ 5 и имеет корпус PG-TDSON-8. Максимальное напряжение между истоком и стоком (VDS) этого устройства составляет 80 В, максимальное сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) — 5,2 мОм, оно может выдерживать максимальный постоянный ток стока (ID) 95 А. Его оптимизированные коммутационные характеристики помогают снизить коммутационные и проводимые потери, что уменьшает потребность в параллельном подключении и повышает удельную мощность.

Особенности продукта

Высокоэффективное преобразование энергии: разработан для высокоэффективного преобразования энергии и подходит для различных сценариев применения.

Низкое сопротивление в открытом состоянии: максимальное RDS(on) составляет 5,2 мОм, что способствует снижению потерь в открытом состоянии.

Высокая токоустойчивость: максимальный ID составляет 95 А, что позволяет удовлетворить потребности высокомощных приложений.

Оптимизированный корпус: используется корпус SuperSO8 размером 5x6 мм, подходящий для компактных конструкций.

Широкий диапазон рабочих температур: рабочий диапазон температур от -55 °C до +150 °C, подходит для различных условий окружающей среды.

Основные преимущества

Высокая энергоэффективность: по сравнению с предыдущим поколением продуктов, RDS(on) снижен на 43%, что значительно повышает удельную мощность.

Высокая токопроводимость: 95 А постоянного тока, 380 А импульсного тока, подходит для высокомощных приложений.

Быстрое переключение: время нарастания/спада составляет всего 7 нс/5 нс, что снижает потери при переключении.

Широкий диапазон рабочих температур: от -55 °C до +150 °C, подходит для суровых условий эксплуатации.

Низкий заряд затвора (Qg = 32 нКл), снижающий потери при управлении.

Характеристики продукта

Производитель: Infineon Technologies  

Модель: BSC052N08NS5

Год выпуска: 24+

Серия: OptiMOS™  

Состояние детали: в продаже  

Тип FET: N-канал  

Технология: MOSFET (металл-оксид)  

Напряжение сток-сток (Vdss): 80 В  

Ток при 25 °C — непрерывный сток (Id): 95 А (Tc)  

Напряжение привода (максимальное Rds On, минимальное Rds On): 6 В, 10 В   

Сопротивление при проводимости при разных значениях Id и Vgs (максимальное): 5,2 мОм при 47,5 А, 10 В  

Vgs(th) при разных значениях Id (максимальное): 3,8 В при 49 мкА  

Заряд затвора (Qg) при разных значениях Vgs (максимальный): 40 нКл при 10 В  

Vgs (максимальное значение): ±20 В  

Входная емкость (Ciss) при разных значениях Vds (максимальное значение): 2900 пФ при 40 В  

Рассеиваемая мощность (максимальное значение): 2,5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc)  

Рабочая температура: от -55 °C до 150 °C (TJ)  

Корпус: PG-TDSON-8

Типичные области применения

Источники питания для телекоммуникационных базовых станций

Источники питания для серверов/центров обработки данных

Солнечные инверторы

Приводы двигателей легких электромобилей (LEV)

Промышленная автоматизация

Контактная информация Mingjiada Electronics

 Телефон: +86 13410018555 (г-н Чен)

 Электронная почта: sales@hkmjd.com

Веб-сайт: www.hkmjd.com

Mingjiada Electronics гарантирует подлинность продукции, быструю доставку и профессиональную техническую поддержку. Приглашаем вас к сотрудничеству!