Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Поставка ON Продукты из карбида кремния: диоды SiC, MOSFET SiC, JFET SiC

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., как ведущий мировой дистрибьютор электронных компонентов, использует свою надежную сеть поставок, профессиональные услуги, конкурентоспособные цены и надежный подход, чтобы предоставлять клиентам комплексные решения в области электронных компонентов.

Основные продукты включают: чипы 5G, микросхемы для новых источников энергии, микросхемы для Интернета вещей, микросхемы Bluetooth, микросхемы для автомобильных сетей, микросхемы автомобильного класса, микросхемы для связи, микросхемы для искусственного интеллекта и т. д. Кроме того, компания поставляет микросхемы памяти, микросхемы датчиков, микросхемы микроконтроллеров, микросхемы приемопередатчиков, микросхемы Ethernet, чипы WiFi, модули беспроводной связи, разъемы и другие электронные компоненты.

Преимущества поставок:

1. Оригинальные продукты от производителей:

Все продукты поставляются от оригинальных производителей или через авторизованные каналы.

Предоставляется полная оригинальная упаковка, чтобы исключить риск появления восстановленных или поддельных продуктов.

2. Гибкие решения по закупкам:

Доступны заказы образцов от 1 штуки для удовлетворения требований этапа НИОКР.

При оптовых заказах предоставляются дисконты по ступенчатой ценовой системе.

3. Эффективная система логистики:

Центральный склад в Шэньчжэне поддерживает запасы товаров, 98% заказов отправляются в течение 48 часов.

Таможенный склад в Гонконге поддерживает глобальные логистические услуги DDP «от двери до двери».

Для срочных заказов могут использоваться специальные линии авиаперевозок, чтобы обеспечить поставку критически важных материалов.

Диоды из карбида кремния (SiC)

Диоды из карбида кремния используют совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с кремнием.

По сравнению с кремниевыми диодами, диоды из карбида кремния более эффективны и устойчивы к высоким температурам. Они работают на высоких частотах и более высоких напряжениях. Поскольку диоды SiC имеют более быстрое время восстановления, чем кремниевые диоды, они идеально подходят для любого типа тока, требующего быстрого перехода от фазы блокировки к фазе проводимости. Кроме того, они не нагреваются так сильно, как кремниевые, что позволяет использовать их в более высокотемпературных приложениях с большей эффективностью.

MOSFET из карбида кремния (SiC)

MOSFET SiC разработаны для обеспечения высокой скорости и прочности и включают в себя такие преимущества системы, как высокая эффективность, уменьшенный размер и стоимость. MOSFET — это полевые транзисторы с металлооксидным полупроводником и изолированными затворами. Эти MOSFET из карбида кремния имеют более высокое напряжение блокировки и более высокую теплопроводность, чем MOSFET из кремния, несмотря на схожие элементы конструкции. Силовые устройства SiC также имеют более низкое сопротивление в состоянии и в 10 раз более высокую прочность на пробой, чем обычный кремний. В целом, системы с MOSFET из SiC имеют лучшую производительность и повышенную эффективность по сравнению с MOSFET, изготовленными из кремния.

JFET из карбида кремния (SiC)

JFET из SiC — это высокопроизводительные JFET-транзисторы с нормальным состоянием «включено» и максимальным напряжением VDS от 650 В до 1700 В. Они обеспечивают высокую частоту переключения и сверхнизкое сопротивление в включенном состоянии (RDS (on)), начинающееся всего с 4 мОм, при этом занимая менее половины площади кристалла по сравнению с любой другой технологией. Кроме того, низкий заряд затвора (Qg) позволяет еще больше снизить потери как при проводимости, так и при переключении. JFET-транзисторы SiC оптимизированы для использования в блоках питания (PSU) и последующем преобразовании высокого напряжения постоянного тока в постоянный ток для удовлетворения огромных потребностей в энергии будущих стоек центров обработки данных искусственного интеллекта. Кроме того, они повышают эффективность и безопасность за счет замены нескольких компонентов твердотельным переключателем на основе JFET-транзисторов SiC в устройствах отключения аккумуляторных батарей электромобилей. Кроме того, они позволяют реализовать определенные топологии накопления энергии и твердотельные автоматические выключатели (SSCB).