Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

Первая страница /динамика компании /

Infineon SiC MOSFET IMZ120R140M1H 1200 В CoolSiC в корпусе TO-247-4

Infineon SiC MOSFET IMZ120R140M1H 1200 В CoolSiC в корпусе TO-247-4

Источник:этот сайтвремя:2022-08-22количество просмотров:

Новая оригинальная продажа Infineon SiC MOSFET IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1 TO-247-4 пакет 1200V CoolSiC

Новая оригинальная продажа Infineon SiC MOSFET IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1 TO-247-4 пакет 1200V CoolSiC


Модель поставки: IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1

Номер лота: 21+

Описание: сквозной канал N 1200 В 19A(Tc) 94W(Tc) PG-TO247-4-1


Технические характеристики

Серия CoolSiC™

Упаковочная трубка

N-канальный полевой транзистор

Технология SiCFET (карбид кремния)

Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 В

Ток при 25°C — непрерывный слив (Id) 19A (Tc)

Рабочее напряжение (макс. Rds On, Min Rds On) 15 В, 18 В

Сопротивление во включенном состоянии (макс.) при различных Id, Вгс 182 мОм при 6А, 18В

Vgs(th) (макс.) при разных Id 5,7 В при 2,5 мА

Заряд затвора (Qg) (макс.) при различных значениях Vgs 13 нКл при 18 В

Vgs (макс.) +23В, -7В

Входная емкость (Ciss) при Vds (макс.) 454 пФ при 800 В

Функция полевого транзистора -

Рассеиваемая мощность (максимум) 94 Вт (Tc)

Рабочая температура -55°C ~ 175°C (ТДж)

Тип крепления Сквозное отверстие

Пакет устройств поставщика PG-TO247-4-1

Пакет/корпус ТО-247-4

Описание функции

Лучшие в своем классе потери на переключение и проводимость

Опорное высокое пороговое напряжение, Vth > 4 В

Напряжение выключения затвора 0 В для простого и легкого управления затвором

Широкий диапазон напряжений затвор-исток

Прочный корпусной диод с малыми потерями для жесткой коммутации

Потери при выключении не зависят от температуры

Управляйте исходными выводами для оптимизации производительности переключения


Область применения

Источник бесперебойного питания (ИБП)

Быстрая зарядка электромобиля

Решения для солнечной системы


свяжитесь с нами:

Тел: +8613410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Домашняя страница компании: www.hkmjd.com


компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler