sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Поставка TO247-3 корпус IMW120R007M1H, IMW120R007M1HXKSA1 траншейный карбидокремниевый MOSFET
Компания Mingjiada поставляет новый оригинальный корпус TO247-3 IMW120R007M1H, IMW120R007M1HXKSA1 траншейный карбидокремниевый МОП-транзистор
Компания Mingjiada поставляет новый оригинальный корпус TO247-3 IMW120R007M1H, IMW120R007M1HXKSA1 траншейный карбидокремниевый МОП-транзистор
Описание: CoolSiC™ 1200 В, 7 мОм SiC траншейный МОП-транзистор в корпусе TO247-3.
Технические характеристики
N-канальный полевой транзистор
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 В
Ток при 25°C — непрерывный сток (Id) 225A (Tc)
Рабочее напряжение (макс. Rds On, Min Rds On) 15 В, 18 В
Сопротивление во включенном состоянии (макс.) при различных Id, Вгс 9,9 мОм при 108А, 18В
Vgs(th) (макс.) при разных Id 5,2 В при 47 мА
Заряд затвора (Qg) (макс.) при различных значениях Vgs 220 нКл при 18 В
Vgs (макс.) +20В, -5В
Входная емкость (Ciss) при Vds (максимум) 9170 нФ при 25 В
Функция полевого транзистора -
Рассеиваемая мощность (максимум) 750 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (ТДж)
Тип крепления Сквозное отверстие
Пакет устройств поставщика PG-TO247-3
Пакет/корпус ТО-247-3
заявление
формирование батареи
Быстрая зарядка электромобиля
Управление двигателем и привод
Решения для фотоэлектрических систем
Источник бесперебойного питания (ИБП)
Контактная информация:
Контактное лицо: г-н Чен
Электронная почта: sales@hkmjd.com
время:2025-01-08
время:2025-01-07
время:2025-01-07
время:2025-01-07
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: