Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
sales@hkmjd.com
sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Новая информация
Первая страница
/динамика компании
/
Infineon BSM150GB120DN2 Модуль IGBT Полумост 1200 В 210 А 1250 Вт
обзорBSM150GB120DN2 is an IGBT module produced by Infineon, which is mainly used in high voltage and high current application scenarios.The module is in a half-bridge configuration, contains fast freewheeling diodes, and is packaged with an insul…
обзор
BSM150GB120DN2 is an IGBT module produced by Infineon, which is mainly used in high voltage and high current application scenarios.The module is in a half-bridge configuration, contains fast freewheeling diodes, and is packaged with an insulated metal substrate.
спецификац
Тип IGBT
полумост
Напряжение-коллекторный разрыв (максимум) : 1200 вт
Ток-коллектор (Ic) (максимум) : 210 A
Максимальная мощность - 1250 вт
Различные Vge, Ic-часовой Vce(on) (максимум) : 3V @15V, 150A
Максимальный предел коллектора (максимум) : 2.8 МЛН
Различные Vce-часы вводят ёмкость (Cies) : 11 nF @25 V
Ввод: стандарт
Теплочувствительное сопротивление NTC: ничего
Рабоч температур: 150 ° C (ти дже)
Тип установки: установка основания
Герметизация/оболочка: модуль
Упаковка оборудования поставщика: модуль
Номер базового продукта: BSM150
прикладн област
BSM150GB120DN2 очен подход для преобразовател частот, инвертор, сварочн аппарат, нов энергетическ бортов, высокоскоростн железн дорог .
время:2025-01-20
время:2025-01-20
время:2025-01-20
время:2025-01-20
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу:
