Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Компания NOVOSENSE Electronics официально представила серию автомобильных изолированных полумостовых драйверных микросхем NSI6602MxEx. Эта серия, основанная на классической модели NSI6602, отличается инновационной интеграцией функции 5A Miller clamp, а также высокой изоляционной прочностью, низкой задержкой и программируемым временем мертвой зоны. Она специально разработана для силовых устройств SiC (карбид кремния) и IGBT и подходит для высоконадежных приложений, таких как OBC (бортовые зарядные устройства), DC/DC-преобразователи, активные подвески и другие высоконадежные области применения.

Сравнение функциональных схем NSI6602MxEx и NSI6602

Функция 5A Miller clamping способствует безопасности и надежности полумостовых схем

В практическом применении силовые устройства мостовых схем, таких как OBC/DCDC, промышленные источники питания, приводы двигателей, склонны к перекрестным помехам, особенно с появлением силовых устройств третьего поколения, таких как SiC и GaN, где пороговое напряжение затвора и максимальное напряжение обратной полярности уменьшаются, что приводит к постоянному уменьшению запаса напряжения для подавления паразитного провода. При использовании традиционных полумостовых драйверных микросхем для предотвращения прямого прохождения тока через мостовые плечи, вызванного эффектом Миллера, обычно требуется настройка драйверной схемы.

Однако во многих случаях, даже при тщательной настройке параметров драйвера, положительного и отрицательного напряжения питания, а также оптимизации паразитных параметров затвора печатной платы, трудно одновременно удержать положительную и отрицательную перекрестную помеху в пределах безопасного запаса. Это не только ограничивает возможности таких устройств, как карбид кремния, но и может создавать потенциальные угрозы безопасности.

Принцип действия эффекта Миллера в процессе переключения

Компания NOVOSENSE выпустила серию NSI6602MxEx, в которой для двухканальной полумостовой схемы управления интегрирована функция зажима Миллера с мощностью 5 А, которая обеспечивает минимальный путь сброса импеданса для тока Миллера и эффективно подавляет повышение напряжения перекрестных помех. NSI6602MxEx, созданный на основе NSI6602, полностью оснащен для обеспечения безопасности применения таких устройств, как SiC.

Применение схемы фиксации Миллера NSI6602MxEx

При использовании силовых устройств SiC из-за их высоких характеристик dv/dt затвор часто сталкивается с ситуацией, когда амплитуда положительного и отрицательного перекрестного напряжения (Vswing) превышает порог открытия затвора (Vgsth) и предельное напряжение обратной полярности (Vgs_min). Такое перекрестное напряжение может привести к ошибочному включению или повреждению устройства, что является серьезной проблемой для проектирования высокопроизводительных драйверов.

Выходной ток ±10 А способствует упрощению конструкции периферийных цепей

NSI6602MxEx обеспечивает сверхвысокую мощность драйвера, максимальный выходной ток 10 А и поддерживает выход от рельса к рельсу. По сравнению с традиционными решениями, NSI6602MxEx не требует дополнительных буферов для эффективного управления, что позволяет упростить конструкцию периферийных цепей, как при прямом управлении силовыми транзисторами с большим зарядом затвора (Qg), так и в приложениях с несколькими транзисторами, соединенными параллельно. Кроме того, максимальное рабочее напряжение 32 В и предельное напряжение 35 В позволяют выдерживать более высокие удары EOS, а в сочетании с упрощенной конструкцией периферийных устройств значительно повышают надежность всей схемы.

Программируемая мертвая зона и многоступенчатый порог пониженного напряжения способствуют гибкой конфигурации

NSI6602MxEx поддерживает настройку мертвой зоны через вывод DT, позволяя гибко настраивать время мертвой зоны путем регулировки подтягивающего резистора. Кроме того, вывод DT можно подключить напрямую к первичному VCC для параллельного вывода двух каналов. В сочетании с двумя вариантами логики включения DIS/EN это обеспечивает богатый набор логики управления для конечных приложений. Кроме того, пониженное напряжение питания вторичной стороны UVLO имеет три варианта: 8 В, 12 В и 17 В, что подходит для защиты от пониженного напряжения в различных сценариях проектирования источников питания в приложениях IGBT и SiC.

Характеристики продукта NSI6602MxEx:

Изоляционная прочность 5700 VRMS, возможность управления высоковольтными SiC и IGBT

Высокий CMTI: 150 кВ/мкс

Напряжение питания на входе: 3 В ~ 18 В

Напряжение питания на выходе: до 32 В

Выход от рельса к рельсу

Пиковый ток тяги: ±10 А

Пиковый ток зажима Миллера: 5 А

Низкое напряжение питания драйвера: 8 В/12 В/17 В, три варианта на выбор

Программируемое время мертвой зоны

Выбираемая конфигурация включения прямой и обратной логики

Типичная задержка распространения: 80 нс

Рабочая температура окружающей среды: от -40 °C до 125 °C

Соответствует стандарту AEC-Q100 для автомобильных приложений

Соответствует стандарту RoHS Тип корпуса: SOW18, дистанция пробоя >8 мм

Типичная схема применения

Выбор продукта и корпус

Серия NSI6602MxEx предлагает шесть моделей на выбор с богатым набором конфигураций логики включения и значений пониженного напряжения питания, что позволяет гибко адаптироваться к различным сценариям применения.