Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

Первая страница /динамика компании /

Память S29GL032N90TFI030 NOR Flash 3V 32 Мб параллельная 90 нс 48-TSOP

Память S29GL032N90TFI030 NOR Flash 3V 32 Мб параллельная 90 нс 48-TSOP

Источник:этот сайтвремя:2024-12-31количество просмотров:

Shenzhen Mingjiada Electronics Co, Ltd. поставляет Infineon памяти S29GL032N90TFI030 NOR Flash 3V 32Mb Параллельные 90 нс 48-TSOP, абсолютно новый и оригинальный, качество гаранти…

Shenzhen Mingjiada Electronics Co, Ltd. поставляет Infineon памяти S29GL032N90TFI030 NOR Flash 3V 32Mb Параллельные 90 нс 48-TSOP, абсолютно новый и оригинальный, качество гарантируем, добро пожаловать в запрос!


Описание продукта:

Устройства S29GL032N90TFI030 представляют собой 3,0-вольтовую флэш-память с одним питанием, изготовленную по 110 нм технологии MirrorBit. S29GL032N90TFI030 - это 32-Мб устройство, организованное из 2 097 152 слов или 4 194 304 байт. В зависимости от модели эти устройства имеют только шину данных шириной 16 бит или шину данных шириной 16 бит, которая также может быть использована как шина данных шириной 8 бит с помощью входа BYTE#. Устройства можно программировать из хост-системы или с помощью стандартного программатора EPROM.


Преимущества продукции:

Работа от одного источника питания

Изготовлены по 110-нм технологическому процессу MirrorBit

Защищенные кремниевые сектора

128-байтные/256-байтные секторы, постоянно и надежно идентифицируемые 8-байтными/16-байтными случайными электронными серийными номерами, доступными по последовательности команд

Программирование и блокировка на заводе или по желанию заказчика

Гибкая структура секторов

32 Мб (унифицированная модель сектора): 64 сектора по 32K слов (64 KB)

32 Мб (модель загрузочного сектора): 63 сектора по 32К слов (64 КБ) + 8 загрузочных секторов по 4К слов (8 КБ)

Улучшенное управление VersatileI/O™

Все входные уровни (уровни адреса, управления и входа DQ) и выходы определяются входным напряжением VIO, которое варьируется от 1,65 до VCC.

Совместимость со стандартами JEDEC

Обеспечивает совместимость выводов и программного обеспечения для флэш-памяти с одним питанием и превосходной защитой от непреднамеренной записи

Типичное количество стираний 100 000 на сектор

Типичный срок хранения данных 20 лет


Параметры устройства S29GL032N90TFI030:

Тип памяти: энергонезависимая  

Формат памяти: флэш  

Технология: FLASH - NOR  

Объем памяти: 32 Мб  

Организация памяти: 4M x 8, 2M x 16  

Интерфейс памяти: параллельный  

Время цикла записи - слово, страница: 90 нс  

Время доступа: 90 нс  

Напряжение питания: 2.7В ~ 3.6В  

Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)  

Тип монтажа: поверхностный монтаж  

Упаковка/корпус: 48-TFSOP (0.724», 18.40mm Width)  

Корпус устройства поставщика: 48-TSOP 

image.png

Контактная информация

Тел: +86 13410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Веб-сайт: www.hkmjd.com

S29GL032N90TFI030.jpg

компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler