sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Модули полумоста на карбид кремния MOSFET ON NXH020P120MNF1PGОписание продукта NXH020P120MNF1PGNXH020P120MNF1PG - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET с сопр…
Модули полумоста на карбид кремния MOSFET ON NXH020P120MNF1PG
Описание продукта NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET с сопротивлением 20 мОм 1200 В и термистор NTC в модуле F1.
Технические характеристики NXH020P120MNF1PG
Технология: SiC
Стиль монтажа: Пресс-фит
Упаковка/корпус: Модуль
Полярность транзистора: N-канальный
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 1,2 кВ
Id - непрерывный ток стока: 51 A
Rds On - Сопротивление стока-источника: 30 мОм
Vgs - напряжение затвор-исток: - 15 В, + 25 В
Vgs th - пороговое напряжение источника затвора: 1.8 В
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Pd - рассеиваемая мощность: 211 Вт
Время спада: 8,4 нс
Время нарастания: 8,8 нс
Типичное время задержки: 8,4 нс
Типовое время задержки выключения: 105 нс
Типовое время задержки включения: 44 нс
Характеристики NXH020P120MNF1PG
Полумост 20 м/1200 В SiC MOSFET
Термистор
Варианты с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом (TIM) и без предварительного нанесения TIM
Штифты с прессовой посадкой
Конечный продукт NXH020P120MNF1PG
Зарядное устройство для электромобилей
Система хранения энергии
Солнечный инвертор 3-фазный
Источник бесперебойного питания
Области применения NXH020P120MNF1PG
Солнечный инвертор
Источники бесперебойного питания
Станции зарядки электромобилей
Промышленное питание
время:2024-12-28
время:2024-12-28
время:2024-12-28
время:2024-12-28
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: