Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Видеопроцессор Видеокодер Искусственный интеллект чипы Интерфейс - Ретаймер Ускоритель ближней памяти CXL и контроллер расширения памяти Аналоговый умножитель Интерфейсные микросхемы RS-422/RS-485 Изолированный CAN-трансивер Усилитель приборов Коммутаторы PCI Express Автомобильная система-на-кристалле Безопасность и сертификация IC Балансер/привод/ретранслятор ИС интерфейса PCI PCIe Коммутатор Интерфейс - многопротокольный приемопередатчик Приемопередатчик линии электропередачи Петля с фазовой автоподстройкой - PLL Приемопередатчик с радиочастотной выборкой Преобразователь уровня логики Интерфейсная ИС - многоскоростной ретаймер Расширитель SAS Часы/Тиминг, Осцилляторы

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы

фильтр

Полосно-задерживающие фильтры фильтр низких частот полосовой фильтр SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Коммуникация ближнего поля (NFC) WiFi Bluetooth Wi-Fi Чип Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Модули беспроводной связи Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

ИИ процессорный чип

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Кремниевые диоды силовой модуль Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Разъемы E.L.P. ™ С высоким циклом стыка ExtremePort Swift Разъемы Multi-Trak™ Разъемы Разъемы VITA 67.3 Разъемы SpaceVPX VITA 78 Разъем ExtremePort Z-Link Разъемы Displayport Магнитные джековые разъемы Разъемы SAS/PCIe 5.0 Разъемы SAS/PCIe 4.0 Мини-разъем USB Разъемы SFP112G Разъемы MiniSAS HD Разъемы OSFP-XD Разъемы DSFP Разъемы CXP Разъемы QSFP Разъемы OSFP Разъем SFP Разъемы CFP2 Разъемы ввода-вывода Mini Cool Edge Разъемы SlimSAS™ Разъемы Mini-SAS высокой плотности Разъемы OCuLink

Датчики

Переключатели на эффекте Холла Индуктивный датчик Замки и переключатели с эффектом Холла Биосенсор Датчики времени пролета Кондиционеры сигналов датчиков оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Контроллеры SSD AI Память F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС

Новая информация
динамика компании
Профессиональная информация
Первая страница /динамика компании /

IGBT-модуль_FZ1000R65KE4P2_с траншеей/отсечкой поля Модуль IGBT4 с высокой изоляцией

IGBT-модуль_FZ1000R65KE4P2_с траншеей/отсечкой поля Модуль IGBT4 с высокой изоляцией

Источник:этот сайтвремя:2024-12-13количество просмотров:

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. новый оригинальный Infineon IGBT модуль_FZ1000R65KE4P2_высокая изоляция модуль с траншеи/поля отсечки IGBT4 и эмиттер управляемый…

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. новый оригинальный Infineon IGBT модуль_FZ1000R65KE4P2_высокая изоляция модуль с траншеи/поля отсечки IGBT4 и эмиттер управляемый 4 диода


Описание устройства

FZ1000R65KE4P2 6500 В, 1000 А, 190 мм однопереключаемый IGBT-модуль с технологией траншейного отключения поля IGBT4 - оптимальное решение для HVDC-VSC, тяговых и промышленных приложений.

QQ图片20241213150429.png

Электрические характеристики

- Vces = 6500 В

- Номинальная мощность IC = 1000 A / ICRM = 2000 A

- Низкий уровень насыщения VCE

Механические характеристики

- Повышенная температура хранения до Tstg = -55 °C

- Упаковка с усиленной изоляцией 10,4 кВ переменного тока 60 с

- Высокие расстояния ползучести и зазора

- Упаковка с CTI > 600

- Задняя панель из AlSiC для повышения способности к термоциклированию


Потенциальные области применения

Преобразователи среднего напряжения

Тяговые

Передача и распределение электроэнергии


Атрибуты продукта

Категория продукта: IGBT-модули

Продукт: Модули с высокой изоляцией

Конфигурация: одиночный

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер VCEO: 6,5 кВ

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 3,25 В

Непрерывный ток коллектора при 25 C: 1 кА

Ток стока затвор-эмиттер: 400 нА

Рассеиваемая мощность Pd: 3,6 МВт

Упаковка / корпус: 190 мм x 140 мм x 48 мм

Минимальная рабочая температура: - 50 C

Максимальная рабочая температура: + 135 C

Максимальное напряжение затвор/эмиттер: 20 В

Чувствительность к влажности: Да

Стиль монтажа: винтовое крепление


Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с г-ном Ченом:

Тел：+86 13410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Домашняя страница компании: http://www.hkmjd.com/

Четырехъядерные коммуникационные процессоры NXP T1040NSN7PQB QorIQ T1040 возвращение
список [Поставка, утилизация] 8A34041E-000AJG (Renesas) 1 ГГц, джиттер-аттенюаторы с перестройкой частоты

Iсправка

рекомендовать продукцию

88E1112-C2-NNC1C000

88E1112-C2-NNC1C000

 VSC7425XJG-02

VSC7425XJG-02

 VSC7552TSN-V/5CC

VSC7552TSN-V/5CC

 VSC7427XJG-02

VSC7427XJG-02

 88E6190-A0-TLA2C000

88E6190-A0-TLA2C000

 XC6VLX195T-2FFG784C

XC6VLX195T-2FFG784C
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler