Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Подробности продукции:

FAM65CR51DZ2 — модуль с двумя отдельными конфигурациями IGBT. Этот интегрированный энергетический модуль (PIM), основанный на обширном опыте разработки IGBT и интеллектуального модуля мощности (IPM), а также на техническом изготовлении инкапсулятора, является решением, полностью соответствующим строгим промышленным стандартам. Кроме того, модульное решение предоставляет пользователям полностью интегрированную цепочку поставок, нацеленную на кремний и инкапсуляцию, которая может обеспечить высокое качество и рентабельность.

Модуль интегральной мощности включает только переключатель питания и выпрямитель с различными топологиями на выбор. Общая топология включает в себя трёхфазный инвертор, преобразователь высоты и многоуровневый инвертор с мостовой выпрямительной и тормозной системой.

Характеристика:

• скорость 1200V и 650V IGBT с низким VCESAT

* существует выбор между материалом с предварительным интерфейсом (TIM) и опциями без предварительного покрытия TIM

* варианты для ударных и сварных штырей

* шунтирование и обратный параллельный диод

• предлагается выбор для сварки и придавливания штырей

Приложение:

• инвертор солнечной энергии

• инвертор UPS

• повышение уровня MPPT

• уровень повышения зарядки батареи

Спецификация устройства:

Тип IGBT

Конфигурация: 2 отдельных типа

Напряжение-коллекторный разрыв (максимум) : 650 V

Ток-коллектор (Ic) (максимум) : 33 A

Максимальная мощность - 160 вт

Различные Vge, Ic-часовой Vce(on) (максимум)

Различные Vce-часы ввода ёмкости (Cies) : 4.86 nF @400 V

Ввод: стандарт

Теплочувствительное сопротивление NTC: ничего

Температур работ: - 55 ° C - 150 ° C (ти дже)

Тип установки: сквозное отверстие

Инкапсуляция/оболочка: 12-SSIP голого сварочного диска, простроенный провод

Упаковка оборудования поставщика: APMCD-B16

Номер базового продукта: FAM65

В случае необходимости звоните мистеру чену:

Почтовый ящик: sales@hkmjd.com

Веб-адрес компании: www.hkmjd.com