[Микросхемы Xilinx FPGA на продажу] XC7K160T-1FFG676I Kintex®-7 Field Programmable Gate Array IC

классификация продукции

Новая информация: динамика компании; Профессиональная информация

Первая страница /динамика компании /

[Микросхемы Xilinx FPGA на продажу] XC7K160T-1FFG676I Kintex®-7 Field Programmable Gate Array IC

Источник:Этот сайтвремя:2023-05-22количество просмотров:

Компания Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd поставляет XC7K160T-1FFG676I Kintex-7 Field Programmable Gate Array Chip.Описание продуктаXC7K160T-1FFG676I Kintex-7 имеет встроенную поддержку …

Компания Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd поставляет XC7K160T-1FFG676I Kintex®-7 Field Programmable Gate Array Chip.

Описание продукта

XC7K160T-1FFG676I Kintex-7 имеет встроенную поддержку восьми линий PCI Express (Gen1/Gen2) для взаимодействия с хост-системами. Устройства 7-й серии используют унифицированную архитектуру Xilinx для защиты инвестиций в IP и легкой миграции проектов 6-й серии.

Атрибуты продукта

Статус продукта: активный

Количество LAB/CLB: 12675

Количество логических элементов/ячеек: 162 240

Общее количество бит ОЗУ: 11980800

Количество входов/выходов: 400

Напряжение - питание:0.97V ~ 1.03V

Тип монтажа: поверхностный монтаж

Рабочая температура:-40°C ~ 100°C (TJ)

Упаковка / корпус:676-BGA, FCBGA

Комплект поставки:676-FCBGA (27x27)

Номер основной детали:XC7K160

Особенности

Мощная плитка управления тактовыми импульсами (CMT) в сочетании с блоками фазовращателя (PLL) и менеджера тактовых импульсов в смешанном режиме (MMCM) для высокой точности и низкого джиттера

Быстрое развертывание встраиваемой обработки с процессором MicroBlaze™

Встроенные блоки для PCI Express® (PCIe) для оконечных и корневых портов до x8 Gen3.

Множество вариантов конфигурации, включая поддержку товарной памяти, 256-битное шифрование AES с аутентификацией HMAC/SHA-256 и встроенную функцию обнаружения и коррекции SEU.

Низкая стоимость, жгуты проводов, голые флип-чипы и флип-чипы с высокой целостностью сигнала позволяют легко переходить от одного представителя семейства к другому в одном и том же корпусе. Все корпуса не содержат свинца, а некоторые корпуса могут быть оснащены дополнительными выводами.

Использование 28-нм, HKMG, HPL техпроцессов, технологического процесса с напряжением ядра 1,0 В и вариантов напряжения ядра 0,9 В позволяет достичь высокой производительности при минимальном энергопотреблении.

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, позвоните г-ну Чену по адресу

Тел: +8613410018555

E-mail: sales@hkmjd.com

Домашний URL: www.hkmjd.com

Карбидкремниевый MOSFET модуль DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 Карбидкремниевые транзисторы с переходом возвращение
список Переработка и поставка (CYPRESS) CY8C5668AXI-LP034 Микроконтроллерная ИС LQFP100