Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. представляет новейшие GaNFast чипы Navi серий NV6127, NV6128, NV6125, NV6136A GaN power chips

Детали продукта

NV6127 - это термически улучшенная версия популярной силовой ИС NV6117 на 650 В GaNFast™, оптимизированная для высокочастотных топологий с плавным переключением. Она выпускается в корпусе QFN6*8 мм с улучшенными тепловыми характеристиками, проводимостью 125 мОм и встроенным драйвером с поддержкой питания 10-30 В. Поддерживается частота переключения до 2 МГц.

NV6128 - новый мощный силовой чип GaNFast на 650В/800В со встроенным GaN, драйвером и устройствами защиты логики для более упрощенной периферии. Микросхема выпускается в небольшом корпусе PQFN размером 6 x 8 мм с внутренним сопротивлением всего 70 мОм и запатентованной встроенной термопрокладкой, обеспечивающей на 66% более высокую токопроводящую способность для высокоэффективных систем питания с высокой плотностью мощности.

NV6125 - это термически улучшенная версия популярной ИС источника питания NV6115 650 В GaNFastTM, оптимизированная для высокочастотных топологий с плавным переключением. Встроенный драйвер, сопротивление 175 мОм, выдерживаемое напряжение 650 В и поддержка частоты переключения 2 МГц подходят для широкого спектра приложений, таких как повышающие, повышающие, полумостовые и полномостовые импульсные источники питания.

NV6136A имеет встроенную 170мОм GaN переключающую трубку в корпусе QFN6*8, со встроенным драйвером, поддерживающим напряжение питания 10-30В и частоту переключения 2МГц.

Характеристики

Силовая ИС GaNFast™

Монолитный встроенный драйвер затвора

Широкий диапазон VCC (от 10 до 30 В)

Программируемое время включения dV/dt

200 В/нс Помехоустойчивость к перегрузкам dV/dt

Номинальное переходное напряжение 800 В

Номинальное длительное напряжение 700 В

Низкое сопротивление 170 мОм

Зарядка с нулевым обратным восстановлением

Работа на частоте 2 МГц

Топология/применение

ПЕРЕМЕННЫЙ-ПОСТОЯННЫЙ ТОК, ПОСТОЯННЫЙ-ПОСТОЯННЫЙ ТОК, ПЕРЕМЕННЫЙ-ПЕРЕМЕННЫЙ ТОК

QR flyback, PFC, AHB, buck, boost, полумост, полный мост, LLC резонанс, класс D

Беспроводное питание, солнечные микроинверторы, светодиодное освещение, телевизионные SMPS, серверы, телекоммуникации

Резюме

Компания Nano Semiconductors, первой в мире представившая силовые ИС на основе GaN, имеет сильную и растущую команду экспертов в области силовых полупроводниковых приборов для постоянного предоставления широкого спектра продуктов на основе технологии GaN широкому кругу производителей зарядных устройств или адаптеров питания, которые могут поддерживать до 240 Вт зарядных устройств на основе GaN с протоколом PD3.1, позволяя большему числу областей пользоваться преимуществами полупроводниковой технологии GaN третьего поколения. технологии.

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с г-ном Ченом по адресу

Тел: +8613410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Дом компании: www.hkmjd.com