Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Shenzhen Mingjiada Electronics Co, Ltd Поставка и переработка [ST Distributor] STM32H753IIK6 и STM32H753IIT6 STM32H7 высокопроизводительных MCU на базе высокопроизводительного 32-битного RISC-ядра Arm® Cortex®-M7.

Описание:

Микроконтроллеры STM32H753IIK6 и STM32H753IIT6 STM32H7 поддерживают полный набор инструкций DSP и блок защиты памяти (MPU) для повышения безопасности приложений.

Микроконтроллеры оснащены высокоскоростной встроенной памятью с двухзонной флэш-памятью объемом до 2 МБ, оперативной памятью объемом 1 МБ (включая 192 КБ оперативной памяти TCM, 864 КБ пользовательской SRAM и 4 КБ резервной SRAM). Кроме того, устройство оснащено разнообразными улучшенными устройствами ввода-вывода и периферийными устройствами, подключенными к шине APB, шине AHB, 2x32-битной матрице мульти-AHB шин и многоуровневому AXI-интерконнекту, поддерживающему доступ к внутренней и внешней памяти.

Характеристики:

Ядро

32-разрядное ядро Arm® Cortex®-M7 с FPU двойной точности и кэшем L1: 16 КБ данных и 16 КБ кэш инструкций.

Поддерживается однократный доступ к одной линии кэша из 256-битной встроенной флэш-памяти; до 400 МГц, MPU, 856 DMIPS/2.14 DMIPS/МГц (Dhrystone 2.1) и DSP-инструкции.

Память

До 2 Мбайт флэш-памяти с возможностью одновременного чтения/записи

1 МБ оперативной памяти: 192 КБ оперативной памяти TCM (включая 64 КБ оперативной памяти ITCM + 128 КБ оперативной памяти DTCM для хранения критических программ или данных, чувствительных ко времени), 864 КБ пользовательской SRAM и 4 КБ резервной SRAM домена

Двухрежимный интерфейс памяти Quad-SPI, работающий на частоте до 133 МГц

Гибкий контроллер внешней памяти с 32-битной шиной данных: SRAM, PSRAM, SDRAM/LPSDR SDRAM, NOR/NAND Flash с тактовой частотой до 133 МГц в синхронном режиме

Блок вычисления CRC

Безопасность

ROP, PC-ROP, активное вскрытие

Входы/выходы общего назначения

До 168 портов ввода/вывода с возможностью прерывания

Быстрый ввод/вывод на частоте до 133 МГц

До 164 входов/выходов, устойчивых к напряжению 5 В

Сброс и управление питанием

3 независимых домена питания, которые могут быть независимо синхронизированы или отключены для максимизации энергоэффективности::

D1: Высокопроизводительные периферийные устройства, обеспечивающие высокую пропускную способность

D2: Коммуникационные периферийные устройства и таймеры

D3: Сброс/контроль тактовой частоты/управление питанием

Питание приложений и ввод/вывод от 1,62 В до 3,6 В

POR, PDR, PVD и BOR

Выделенный источник питания USB со встроенным внутренним регулятором 3,3 В для питания внутреннего PHY

Встроенный стабилизатор напряжения (LDO) с настраиваемыми масштабируемыми выходами для питания цифровых схем

Регулирование напряжения в режимах работы и останова (5 настраиваемых диапазонов)

Резервный стабилизатор напряжения (~0,9 В)

Опорное напряжение/VREF+ для аналоговых периферийных устройств

Режимы пониженного энергопотребления: сон, остановка, режим ожидания и поддержка VBAT для зарядки аккумулятора

Низкое энергопотребление

Общий ток потребления до 4 мкА

Управление тактовыми импульсами

Внутренние генераторы: 64кГц HSI, 48МГц HSI48, 4МГц CSI, 40кГц LSI

Внешние генераторы: 4MHz - 48MHz HSE, 32.768kHz LSE

3 PLL с дробным режимом (1 для системных часов, 2 для основных часов)

Домашняя страница компании: www.hkmjd.com