sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Samsung Electronics, SK Hynix ускоряют коммерциализацию 3D DRAM
13 марта - Мировые гиганты DRAM, такие как Samsung Electronics и SK Hynix, ускоряют коммерциализацию 3D DRAM, но не так сильно, как Micron (которая проводит исслед…
13 марта - Мировые гиганты DRAM, такие как Samsung Electronics и SK Hynix, ускоряют коммерциализацию 3D DRAM, но не так сильно, как Micron (которая проводит исследования 3D DRAM с 2019 года и получила в два-три раза больше патентов, чем эти две компании).
12 числа источники в корейской полупроводниковой промышленности сообщили, что ключевые руководители Samsung Electronics и SK Hynix недавно заявили на конференции по полупроводникам, что они ускорят коммерциализацию 3D DRAM, которую они рассматривают как способ преодоления физических ограничений DRAM.
3D DRAM рассматривается как будущий драйвер роста для полупроводниковой промышленности", - сказал Ли Чон Мён, вице-президент Исследовательского института полупроводников Samsung Electronics и глава отдела разработки процессов на конференции IEEE EDTM 2023, проходившей в Корейском торговом центре в Самсон-дон, Каннам-гу, Сеул. "
Кроме того, вице-президент SK Hynix, возглавляющий SK Hynix Future Technology Research Institute, также сказал: "Детали электронных характеристик 3D DRAM будут раскрыты в следующем году, чтобы определить направление развития."
3D DRAM - это чип памяти с совершенно новой структурой. Проще говоря, разработка существующих продуктов DRAM была направлена на увеличение плотности за счет уменьшения ширины линий, но по мере того, как ширина линий переходит в диапазон 10 нм, промышленность начинает сталкиваться с физическими ограничениями, такими как утечка конденсатора и помехи. Чтобы избежать или смягчить этот эффект, были внедрены новые материалы и оборудование, такие как материалы для осаждения с высокой диэлектрической постоянной (High K) и устройства с экстремальным ультрафиолетовым излучением (EUV). Тем не менее, полупроводниковая промышленность считает, что производство более мелких чипов с нормами 10 нм или более совершенных чипов будет представлять собой серьезную проблему для производителей.
Samsung Electronics и SK Hynix в этом году достигли массового производства высокотехнологичных линий DRAM шириной 12 нм. Учитывая текущую ситуацию, в которой окажутся линии DRAM шириной до 1 нм, промышленность считает, что коммерциализация новой DRAM через 3-4 года будет скорее необходимостью, чем направлением.
Конечно, в отличие от существующего рынка DRAM, на рынке 3D DRAM пока не известно абсолютного лидера, поэтому быстрое серийное производство имеет решающее значение. С активизацией продуктов для приложений искусственного интеллекта, таких как ChatGPT, в отрасли также начинает расти спрос на высокопроизводительные и емкие полупроводники для хранения данных.
Мы считаем, что по мере того, как Samsung Electronics и SK Hynix начнут ускорять коммерциализацию технологии 3D DRAM, в будущем мы увидим, как другие производители и даже китайские производители будут запускать аналогичные технологические решения и продукты, так что следите за новостями.
Главная страница компании: www.hkmjd.com
время:2025-01-11
время:2025-01-11
время:2025-01-11
время:2025-01-11
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: