sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Карбид кремния JFET транзисторы
бренд:ON
год выпуска:25+
пакет:TO-247-3
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 2000
UJ3C120070K3S SiC FET основан на уникальной «каскодной» конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормально выключенного SiC FET устройства. Стандартные характеристики привода затвора позволяют использовать устройство как замену Si IGBT, Si FET, SiC MOSFET или Si super-junction. Выпускаемый в корпусе TO247-3, этот прибор демонстрирует сверхнизкий заряд затвора и исключительные характеристики обратного восстановления, что делает его идеальным для коммутации индуктивных нагрузок и любых приложений, требующих стандартного управления затвором.
Характеристики UJ3C120070K3S
Типовое сопротивление включения RDS(on), тип: 70 мОм
Максимальная рабочая температура 175 °C.
Отличное обратное восстановление
Низкий заряд затвора
Низкая внутренняя емкость
Защита от электростатического разряда: HBM класс 2
Это устройство не содержит Pb, галогенов и соответствует требованиям RoHS.
Типичные применения UJ3C120070K3S
Зарядка электромобилей
Фотоэлектрические инверторы
Источники питания с коммутационным режимом
Модули коррекции коэффициента мощности
Моторные приводы
Индукционный нагрев
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
TO-247-3
2000
1200 В EliteSiC Силовые N-канальные карбидкремниевые JFET-транзисторы
ON
TO-247-3
2000
1200 В EliteSiC Силовые N-канальные карбидкремниевые JFET-транзисторы
ON
TO-247-4
2000
1200 В EliteSiC Силовые N-канальные карбидкремниевые JFET-транзисторы
ON
TO-263-3
2000
650 В EliteSiC N-канальные каскодные JFET-транзисторы из карбида кремния
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S - это высокопроизводительный быстродействующий JFET F3 SiC с каскодным оптимизированным MOSFET для создания единственного на современн…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1: 1700 В, 45 А, 53 мОм, карбид кремния (SiC) N-канальный MOSFET транзистор, TO-247-4Модель: NVH4L050N170M1Корпус: TO-247-4Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзисто…NTBL032N065M3S
NTBL032N065M3S: Карбид кремния (SiC) MOSFET - 650 В, 55 А, N-канальный MOSFET транзистор, H-PSOF-8Модель: NTBL032N065M3SУпаковка: H-PSOF-8Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзист…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: