sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Модули из карбида кремния (SiC)
бренд:ON
год выпуска:24+
пакет:APM-32
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
Модуль карбида кремния (SiC) NVXK2VR80WXT2 представляет собой трехфазный мостовой модуль питания 1200V и 80MΩ с двухрядным пакетом прямого подключения (DIP). Эти модули карбида кремния имеют компактную конструкцию и низкое общее сопротивление модуля.
Модуль питания NVXK2VR80WXT2 является автомобильным оборудованием, соответствующим стандартам AEC-Q101 и aqg101 и AQG324, с температурной сенсор и крайне низким температурным сопротивлением, что делает его идеальным для использования в приложении PFC в приложении xv.
Характеристики:
• модуль питания с трехфазным мостом из карбида кремния, используемый для использования в приложении xv (OBC)
• расстояние лазания и зазор между электричеством соответствуют стандартам IEC 60664-1, IEC 60950-1
• компактный дизайн с низким сопротивлением в модуле
• модули сериализованы для достижения полной обратной связи
Неэтилирова, соответств bazix и UL94V − 0 стандарт
• соответств AEC − Q101 и AQG324 машин стандарт
Приложение:
PFC, используется для зарядки автомобиля в приложении ксев
Зарядки для машин с 11kW до 22kW, предназначенных для Ева-фаева
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
Wolfspeed
Module
1000
Модуль карбида кремния (SiC) 1200V 350A Монтаж основания, 62 мм, полумост
Wolfspeed
Module
1000
Модуль карбида кремния (SiC) 1200V 530A Монтаж основания, 62 мм, полумост
Wolfspeed
Module
1000
Модуль 1200 В, 11 мОм, GM, T, карбид кремния промышленного класса (SiC)
Wolfspeed
Module
1000
1200 В, 4 мОм, GM, полумост, промышленный модуль карбида кремния (SiC)
ON
APM-32
3000
Модуль из карбида кремния (SiC) - 1200 В трехфазный мостовой силовой модуль
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S - это высокопроизводительный быстродействующий JFET F3 SiC с каскодным оптимизированным MOSFET для создания единственного на современн…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1: 1700 В, 45 А, 53 мОм, карбид кремния (SiC) N-канальный MOSFET транзистор, TO-247-4Модель: NVH4L050N170M1Корпус: TO-247-4Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзисто…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: