sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:GaN-транзисторы
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:PDFN 8x8
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1250
GS-065-018-2-L-MR - это улучшенный силовой транзистор на кремнии с гальваническим покрытием. Транзистор с нижним охлаждением в корпусе PDFN размером 8x8 мм обеспечивает идеальное энергопотребление, необходимое для современных адаптеров и зарядных устройств USB-C или приложений для серверов и центров обработки данных.
GS-065-018-2-L-MR - N-канальный транзистор поверхностного монтажа 650 В 18A (Tc) 8-PDFN (8x8)
Тип транзистора: N-канальный
Технология: GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение сток-исток (Vdss): 650 В
Ток при 25°C - непрерывный слив (Id): 18A (Tc)
Напряжение питания (максимальное Rds On, минимальное Rds On): 6 В
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 110 мОм @ 5.5A, 6V
Vgs(th) при различных Id (макс.): 2,6 В @ 4,8 мА
Заряд затвора (Qg) при Vgs (max): 4 nC @ 6 В
Vgs (max): +7 В, -10 В
Входная емкость (Ciss) при изменении Vds (max): 132 пФ @ 400 В
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа: поверхностный монтаж
Упаковка устройства поставщика: 8-PDFN (8x8)
Упаковка/корпус: 8-VDFN с открытой площадкой
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PDFN 8x8
1250
700-вольтовые силовые транзисторы CoolGaN™ для экстремальной эффективности и надежности
INFINEON
PDFN 8x8
1250
700-вольтовые силовые транзисторы CoolGaN™ для экстремальной эффективности и надежности
INFINEON
PDFN 8x8
3000
GaN полевой транзистор 650 В, 11 А, GaN E-mode, 8x8 PDFN, с нижним охлаждением
INFINEON
TOLL-11
1250
Транзистор CoolGaN™ 700 G4 для высокой эффективности и надежности
INFINEON
PDFN 5x6
1250
GaN полевые транзисторы поверхностного монтажа N-канальные 700 В 12,2 А (Тс) 8-PDFN (5x6)
INFINEON
PDFN 5x6
1250
GaN полевые транзисторы поверхностного монтажа N-канальные 700 В 15,2 А (Тс) 8-PDFN (5x6)
INFINEON
PDFN 8x8
1250
GaN полевые транзисторы поверхностного монтажа N-канальные 700 В 15,2 А (Тс) 8-PDFN (8x8)
INFINEON
PDFN 8x8
1250
GaN полевые транзисторы поверхностного монтажа N-канальные 700 В 12.2A (Tc) 8-PDFN (8x8)
INFINEON
PDFN 5x6
3000
GaN полевой транзистор 650 В, 11 А, GaN E-Mode, 5x6 PDFN, с нижним охлаждением
INFINEON
PDFN 5x6
250
GaN полевые транзисторы поверхностного монтажа N-канальные 700 В 4,6 А (Tc) 8-PDFN (5x6)
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…IPQC60T010S7A
IPQC60T010S7A представляет собой мощный MOSFET 600 V CoolMOS S7TA, предназначенный для удовлетворения особых требований к автомобильным электронным комп…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: