sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:GaN-транзисторы
бренд:INFINEON
год выпуска:24+
пакет:PDFN 5x6
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1250
GS-065-011-6-L-MR - это улучшенный некремниевый силовой транзистор на основе нитрида галлия. Характеристики GaN обеспечивают высокий ток, высокое напряжение пробоя и высокую частоту переключения. GaN Systems достигает высокого тока чипов и высокого выхода продукции благодаря передовым инновациям, таким как запатентованная схема ячейки Island Technology®. GS-065- 011-6-L-MR - это транзистор с нижним охлаждением и чрезвычайно низким тепловым сопротивлением корпуса для требовательных приложений высокой мощности.GS-065-011-6-L-MR - это транзистор с нижним охлаждением и чрезвычайно низким тепловым сопротивлением корпуса для требовательных приложений высокой мощности. 011-6-L-MR - это транзисторы с нижним охлаждением и чрезвычайно низким тепловым сопротивлением корпуса для требовательных мощных приложений. Сочетание этих характеристик обеспечивает чрезвычайно эффективное переключение мощности.
Области применения
Адаптеры питания
Драйверы светодиодного освещения
Быстрая зарядка аккумуляторов
Коррекция коэффициента мощности
Промышленные источники питания
Фотоэлектричество
Преобразование питания AC-DC для телекоммуникационной инфраструктуры
Решения для центров обработки данных и вычислительных систем
Электрические и промышленные приводы
Беспроводная передача энергии
GS-065-011-6-L-MR Атрибуты изделия:
Тип ТЭНа: N-канальный
Технология: GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение сток-исток (Vdss): 700 В
Ток при 25°C - непрерывный сток (Id): 12,2A (Tc)
Напряжение питания (максимальное Rds On, минимальное Rds On): 6 В
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 180 мОм @ 3.2A, 6V
Vgs(th) при различных Id (макс.): 2,6 В @ 2,4 мА
Заряд затвора (Qg) при Vgs (max): 2.2 nC @ 6 В
Vgs (max): +7 В, -10 В
Входная емкость (Ciss) при различных значениях Vds (max): 70 пФ @ 400 В
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа: поверхностный монтаж
Комплект поставки: 8-PDFN (5x6)
Упаковка/корпус: 8-PowerVDFN
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-TSON-4
3000
GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 100 В G3, PQFN 3x3, 8 мОм
INFINEON
PG-VSON-4
3000
GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 100 В G3, PQFN 3x3, 8 мОм
INFINEON
PG-TSON-4
3000
GaN HEMT – транзистор из нитрида галлия 100 В G3, PQFN 3x3,5 мОм
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I представляет собой мощный MOSFET OptiMOS ™ 5 (Infineon), разработанный для повышения эффективности системы при одновременном снижении стоим…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S представляет собой мощный MOSFET мощностью 74 А, StrongIRFET ™ 230 В, который обладает высокой энергоэффективностью и улучшает общую произво…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S - это мощный MOSFET, произведенный компанией Infineon и относящийся к серии StrongIRFET ™ 2. Он в основном оптимизирован для низкой частоты пере…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S Power MOSFET относится к серии StrongIRFET ™ 2. Он использует технологию нового поколения Power MOSFET, которая может удовлетворить различные потр…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S представляет собой мощный MOSFET мощностью 341 А, StrongIRFET ™ 230 В от Infineon, который обладает высокой энергоэффективностью, улучшает общую …контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: