sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:Транзистор IGBT
бренд:IXYS
год выпуска:24+
пакет:PLUS247-3
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 3000
IXGX320N60B3 — среднечастотный IGBT, производимый с использованием технологии HDMOS IGBT для PT (пирсинга).
600V GenX3 ™ направлен на ток прикладн оптимизирова, так прикладн треб до 200 КГЦ мягк выключател частот и 40 КГЦ жестк выключател частот. В этих устройствах используется наша проверенная технология прошивки (PT), которая может повысить производительность тока волны, снизить напряжение насыщения и уменьшить потери энергии, а также предоставить дизайнерам совершенно новые и выполнимые программы для применения переключателей в диапазоне 600V.
Функция:
Высокая мощность обработки тока
Международная стандартная упаковка
Оптимизация была направлена на снижение наведения и потери на переключатели
Сверхбыстрый антипараллельный диод (опциональный)
Рейтинг лавин.
Квадрат RBSOA
Низкобюджетная альтернатива MOSFET в диапазоне 300V
Сетка MOS открывается легко и просто
Высокочастотный IGBT
прикладн
Инвертор питания
UPS (* частн служб доставк посылок *
Электромашинный привод
SMPS
Схема первого класса
Зарядка для батареи
Сварочный аппарат
Ламповый балласт
Защитная цепь проникающего тока
Компрессор постоянного тока
Индукционный нагрев
Инвертор солнечной системы
Схема коррекции коэффициента мощности
Бесперебойное электроснабжение
Питание в режиме переключения
Управление электростанциями (ACAC/DC)
Конденсаторный выключатель
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ROHM
TO-247N-3
2000
1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности
ROHM
TO-247N-3
2000
1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности
ROHM
TO-247-4
2000
1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности
ROHM
TO-247-4
2000
1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
IXYS со штаб-квартирой в Силиконовой долине, США, была основана в 1983 г. Основное направление деятельности: MOSFET, IGBT, тиристор, SCR, выпрямительн…
IXTP160N10T
IXTP160N10T Описание:Силовые МОП-транзисторы IXYS Gen1 с траншейным затвором идеально подходят для приложений с низким напряжением/высоким током…MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR - это N-канальный 1200-вольтовый SiC MOSFET модуль.Технические характеристикиПродукт: Модули силовых МОП-транзисторов Тип: Полумостово…IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC - это N-канальный 1200V 47A SiC MOSFET модуль.Технические характеристикиТип: HiperFET Технология: SiC Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 В, + 20 В Стиль…IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV — 25 в 29 а сер IGBT высок давлен, устройств принят собствен XPT ™ BoJing круг техническ и наибол передов IGBT технологическ исследован, сопро…IXBK55N300
IXBK55N300 — семейство IGBT, разработанное компанией ixbk55n300 для производства сверхвысокого напряжения.BiMOSFET имеет преимущества в совместве с MOSFE…MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - Силовые MOSFET-транзисторы класса X2 на 600 В, 160 мОм, 18 А с диодом FRED Co-PackКлючевые характеристики MOSFET- Низкие RDS(ON) и QG- Быстрое переключе…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: