sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:NV6123
Руководство по данным:NV6123.pdf
бренд:Navitas
год выпуска:21+
пакет:QFN
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
NV6123 — это версия популярной силовой микросхемы NV6113 650 В GaNFast™ с улучшенными тепловыми свойствами, оптимизированная для высокочастотных топологий и топологий с плавным переключением. Монолитная интеграция полевого транзистора, привода и логики создает простой в использовании высокопроизводительный блок силового агрегата с цифровым входом и выходом, что позволяет разработчикам создавать самые быстрые, компактные и эффективные интегрированные силовые агрегаты в мире. Наивысшая устойчивость к dV/dt, высокоскоростной встроенный привод и стандартный низкопрофильный корпус SMT QFN с малой индуктивностью 6 x 8 мм позволяют разработчикам использовать GaN-технологию Navitas с простыми, быстрыми и надежными решениями для революционной плотности мощности и эффективности. .
Силовые ИС Navitas GaNFast™ расширяют возможности традиционных топологий, таких как обратноходовая, полумостовая, резонансная и т. д., до МГц+ и позволяют коммерческое внедрение революционных конструкций.
Функции
Силовая микросхема GaNFast™
• Термически улучшенная версия NV6117
• Большая охлаждающая подставка
• Улучшенные тепловые характеристики при использовании резистора CS
• Монолитно-интегрированный привод ворот
• Широкий диапазон VCC (от 10 до 30 В)
• Программируемое включение dV/dt
• Устойчивость к dV/dt 200 В/нс
• Номинальное переходное напряжение 800 В
• Номинальное постоянное напряжение 650 В
• Низкое сопротивление 125 мОм
• Нулевая плата за обратное восстановление
• Защита от электростатического разряда – 1 кВ (HBM), 1 кВ (CDM)
• Работа на частоте 2 МГц
Маленький, низкопрофильный SMT QFN
• Размер основания 6 x 8 мм, профиль 0,85 мм
• Минимальная индуктивность корпуса
устойчивость
• RoHS, не содержит свинца, соответствует требованиям REACH
• Экономия энергии до 40 % по сравнению с решениями на основе Si
• Уменьшение углеродного следа CO2 на уровне системы на 4 кг
Топологии/приложения
• AC-DC, DC-DC, DC-AC
• QR Flyback, PFC, AHB, Buck, Boost, полумост, полный мост, резонанс LLC, класс D
• Беспроводное питание, солнечные микроинверторы, светодиодное освещение, ТВ SMPS, сервер, телекоммуникации
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
TI
52-VQFN
2222
Выполня интегральн двигател, охраня и температур отчет функц сво 650V 50m Ω ид фет
TI
52-VQFN
2222
Имеет интегральн диск функц, охраня и нулев напряжен отчет о проведен тест 650V 50m Ω ид фет
ST
31-QFN
2000
Высокая плотность мостов 6,5 A полумост с двумя улучшенными двигателями гена HEMT, 31QFN
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Компания Navitas Semiconductor, основанная в 2014 году, специализируется на разработке сверхэффективных полупроводниковых продуктов на основе нитр…
NV6115-RA
Микросхема NV6115-RA имеет сопротивление вывода 170 мОм, выдерживает напряжение 650 В, поддерживает частоту переключения 2 МГц, выпускается в ко…NV6117-RA
Эта силовая интегральная схема NV6117-RA GaNFast оптимизирована для высокочастотных топологий плавного переключения. Монолитная интеграция по…NV6132A-RA
NV6132A-RA В этой силовой ИС GaNFast™ интегрирован высокоэффективный eMode GaN FET со встроенным приводом затвора, что позволяет достичь беспрецедент…NV6152-RA
NV6152-RA В этой силовой ИС GaNFast™ интегрирован высокоэффективный eMode GaN FET со встроенным приводом затвора, что позволяет достичь беспрецедентн…NV6153-RA
В силовой ИС NV6153-RAGaNFast™ интегрирован высокоэффективный eMode GaN FET со встроенным приводом затвора, что позволяет добиться беспрецедентно вы…NV6158
В силовой ИС NV6158 GaNFast™ интегрирован высокоэффективный eMode GaN FET со встроенным приводом затвора, что позволяет добиться беспрецедентно выс…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: