Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
sales@hkmjd.com
sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:CAS380M17HM3
Руководство по данным:
CAS380M17HM3.pdf
бренд:Wolfspeed
год выпуска:23+
пакет:Module
срок поставки:Новый оригинал.
количество запасов: 2000
CAS380M17HM3 - полумостовой модуль на 1700 В, 380 А, выполненный из карбида кремния.
Характеристики
Сверхнизкие потери, работа на высоких частотах
Нулевой ток выключения MOSFET
Нормально выключенный, отказоустойчивый режим работы устройства
Антипараллельный диод Шоттки
Температурно-независимое поведение при переключении
Преимущества системы
Обеспечение компактности и легкости систем
Повышение эффективности системы за счет низких коммутационных и кондуктивных потерь SiC
Снижение тепловых требований и стоимости системы
Области применения
Железнодорожные, тяговые и моторные приводы
Зарядные устройства для электромобилей
Высокоэффективные преобразователи / инверторы
Возобновляемая энергетика
Smart-Grid / распределенная генерация, связанная с сетью
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ST
8-PowerVDFN
2000
Двухканальные N-канальные силовые MOSFET-транзисторы STripFET™ F7 автомобильного класса
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1700В (1,7кВ), 1200В (1,2кВ) 337А (Тс), 317А (Тс) 1,492кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200В (1,2кВ), 700В 472А (Тс), 442А (Тс) 1,846кВт (Тс), 1,161кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
10000
MOSFET - массивы 1700 В (1,7 кВ), 1200 В (1,2 кВ) 124 А (Тс), 89 А (Тс) 602 Вт (Тс), 395 Вт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1200В (1,2кВ), 700В 317А (Тс), 227А (Тс) 1,253кВт (Тс), 613Вт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1200 В (1,2 кВ), 700 В 89A (Tc), 124A (Tc) 395 Вт (Tc), 365 Вт (Tc) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 700V 52A (Tc), 110A (Tc) 141W (Tc), 292W (Tc) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 420 А (Тс) 1,753 кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 79A 310 Вт для установки на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 173 А (Тс) 745 Вт (Тс) Крепление на шасси
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Компания Wolfspeed (NYSE: NYSE) является лидером на рынке в области глобального внедрения технологий карбида кремния и GaN. Портфель продукции комп…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T - 2300 В, 6 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CAB6…
CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T - 2300 В, 7,5 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CA…
CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T - 2300 В, 5 мОм, корпус GM, полумостовой SiC-модуль питания с предварительно нанесенным термоинтерфейсным материалом.Характеристика CAB5…
C3M0280090J
C3m02800000j — мосфит мощностью 900 V карбида кремния с широким электрическим расстоянием и расстоянием между утечкой и источником (~8 мм). Устрой…
C3M0160120D
C3M0160120D основа на трет поколен графическ усилител технолог 12 ви, 160 м Ωm, 17 A карбид кремн усилител мощност, высок заблокирова напряжен, низк-…
C3M0350120J
C3M0350120J основан на технологии MOSFET третьего поколения, мощностью 7,2 A карбида кремния с высоким блокирующим напряжением, низким электрическ…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу:
