sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:BSM120D12P2C005
Руководство по данным:BSM120D12P2C005.pdf
бренд:ROHM
год выпуска:23+
пакет:Module
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
Силовые SiC-модули BSM120D12P2C005R OHM Semiconductor представляют собой полумостовые SiC-модули, объединяющие в одном корпусе SiC SBD и SiC MOSFET. Эти модули способны работать на высоких частотах при снижении потерь на переключение. Оптимизированная конструкция позволяет снизить паразитную индуктивность по сравнению с существующими решениями. Кроме того, предлагаются модули типа E со встроенными дополнительными термисторами для предотвращения перегрева.
Атрибуты изделия
Технология: карбид кремния (SiC)
Конфигурация: 2 N-канала (полумост)
Напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В (1,2 кВ)
Ток при 25°C - непрерывный слив (Id): 120A (Tc)
Vgs(th) при различных Id (max): 2.7V @ 22mA
Входная емкость (Ciss) при различных значениях Vds (макс.): 14000пФ @ 10В
Мощность - макс: 780 Вт
Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
Упаковка/корпус: модуль
Упаковка устройства поставщика: модуль
Области применения
● Приводы двигателей
● Инверторы, преобразователи
● Фотоэлектрические, ветровые генераторы.
● Индукционное нагревательное оборудование.
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ST
8-PowerVDFN
2000
Двухканальные N-канальные силовые MOSFET-транзисторы STripFET™ F7 автомобильного класса
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1700В (1,7кВ), 1200В (1,2кВ) 337А (Тс), 317А (Тс) 1,492кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200В (1,2кВ), 700В 472А (Тс), 442А (Тс) 1,846кВт (Тс), 1,161кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
10000
MOSFET - массивы 1700 В (1,7 кВ), 1200 В (1,2 кВ) 124 А (Тс), 89 А (Тс) 602 Вт (Тс), 395 Вт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1200В (1,2кВ), 700В 317А (Тс), 227А (Тс) 1,253кВт (Тс), 613Вт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 1200 В (1,2 кВ), 700 В 89A (Tc), 124A (Tc) 395 Вт (Tc), 365 Вт (Tc) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массивы 700V 52A (Tc), 110A (Tc) 141W (Tc), 292W (Tc) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 420 А (Тс) 1,753 кВт (Тс) Крепление на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 79A 310 Вт для установки на шасси
Microchip
Module
1000
MOSFET - массив 1200 В (1,2 кВ) 173 А (Тс) 745 Вт (Тс) Крепление на шасси
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ROHM Co., Ltd. является одним из ведущих мировых производителей полупроводников со штаб-квартирой в Киото, Япония. Компания ROHM разрабатывает и…
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 - это IGBT-транзисторы, отличающиеся низкими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость. Они идеально подходят дл…BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2 — нан кэп ™ 650V ид HEMT мощност IC, очен распространя на требовательн плотност энерговыделен и эффективн различн электрон систем. Уст…SCT3160KWATL
SCT3160KWATL — одно200v-канавка, разработанная компанией MOSFET 17A SiC(карбид кремния) с небольшой инкапсуляцией TO-263-7. Он характеризуется устойчивост…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: