sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:FFSH40120A-F155
Руководство по данным:FFSH40120A-F155.pdf
бренд:ON
год выпуска:23+
пакет:TO-247-2
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
Диод FFSH40120A-F155 из карбида кремния (SiC) обладает превосходными коммутационными характеристиками и более высокой надежностью, чем кремниевый. FFSH10120A-F155 компании onsemi отличается низким сопротивлением включения при компактных размерах микросхемы, что обеспечивает низкую емкость и малый заряд затвора. К преимуществам системы относятся высокий КПД, высокая рабочая частота, высокая плотность мощности, низкий уровень электромагнитных помех и малые размеры системы.
Атрибуты продукта
Технология: SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.): 1200 В
Ток - средний выпрямленный (Io): 61 А
Напряжение - прямое (Vf) при различных значениях тока: 1,75 В при 40 А
Быстродействие: нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr): 0 нс
Ток при различных Vr - обратная утечка: 200 мкА @ 1200 В
Емкость при различных значениях Vr, F: 2250 пФ при 1 В, 100 кГц
Тип монтажа: сквозное отверстие
Упаковка/корпус: TO-247-2
Корпус устройства поставщика: TO-247-2
Рабочая температура - спай: -55°C ~ 175°C
Области применения
● Коррекция коэффициента мощности (ККМ)
● Промышленные источники питания
● Солнечные
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
2-XDFN
1000
Диод 120 V 200mA с обшивкой поверхности, увлажняющим фланг 2-X2DFNW (1x00.6)
ON
2-XDFN
1000
Диод 250 V 200mA с обшивкой поверхности, увлажняющим фланг 2-X2DFNW (1x00.6)
ON
2-XDFN
1000
Диод 200 V 200mA с обшивкой поверхности, увлажняющим фланг 2-X2DFNW (1x00.6)
ON
TO-247-3
1000
Массив диодов 1 пара общий катод 1200 В 20 А сквозное отверстие TO-247-3
IXYS
SOT-227B
1000
Массив диодов 2 независимых 1200 В 22 А Монтаж на корпус SOT-227-4, miniBLOC
INFINEON
MODULE
1000
Мостовой выпрямитель однофазный карбидкремниевый Шоттки 1,2 кВ для монтажа на шасси AG-EASY1B-1
Microchip
SOT-227-4
1000
Двухцилиндровый массив с двумя автономными шасси 1700V 30A, установка SOT-227-4, miniBLOC
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
NXH040F120MNF1PG
NXH040F120MNF1PG: Модуль из карбида кремния (SiC) - 1200 В, 40 мОм, SiC MOSFET ModuleМодель: NXH040F120MNF1PGУпаковка: PIM-22Тип: Модуль из карбида кремния (SiC) - SiC MOSFET модуль…NVMJD010N10MCL
NVMJD010N10MCL (MOSFET-транзистор низкого/среднего напряжения): 100 В, 10 мОм, 62 А, 2N-канальный, автомобильный силовой MOSFET-транзисторМодель: NVMJD010N10MCLУпа…NVXK2VR40WXT2
NVXK2VR40WXT2: Карбид Кремния (SiC) Модуль - 1200 В трехфазный мостовой силовой модульНомер модели: NVXK2VR40WXT2Упаковка: APM-32Тип: Карбид Кремния (SiC) Модул…FGY140T120SWD
FGY140T120SWD (IGBT-транзистор): 1200 В, 140 А, полевой стоп VII (FS7) быстрый дискретный IGBT в силовом корпусе TO247-3LМодель: FGY140T120SWDУпаковка: TO-247-3Тип: IGBT транз…NVHL045N065SC1
NVHL045N065SC1: 650 В, 32 мОм, карбид кремния (SiC) MOSFET транзистор, TO-247-3Модель: NVHL045N065SC1Корпус: TO-247-3Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзисторNVHL045N065SC1 - Техни…NVHL025N065SC1
NVHL025N065SC1: 650 В, 25 мОм, N-канальный - EliteSiC, карбид кремния (SiC) MOSFET транзисторМодель: NVHL025N065SC1Упаковка: TO-247-3Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзистор…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: