sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:DCG85X1200NA
Руководство по данным:DCG85X1200NA.pdf
бренд:IXYS
год выпуска:23+
пакет:SOT-227B
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
DCG85X1200NA идеально подходят для приложений, требующих повышенной эффективности, надежности и терморегулирования. Эти карбидокремниевые диоды и выпрямители имеют максимальное обратное блокирующее напряжение 1200 В. Они выпускаются в конфигурациях с двумя, фазовыми ногами или общим катодом. Приборы имеют диапазон IFAVMTotal от 12,5 А до 60 А. Эти диоды и выпрямители выпускаются в корпусах SOT-227B или ISOPLUS247. Эти приборы идеально подходят для использования в солнечных инверторах, ИБП, сварочном оборудовании, импульсных источниках питания, медицинском оборудовании или высокоскоростных выпрямителях.
Атрибуты изделия
Конфигурация диодов: 2 автономных
Технология: SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.): 1200 В
Ток - средний ток выпрямления (Io) (на диод): 43 А
Напряжение - прямое (Vf) при различных значениях тока: 1,8 В при 40 А
Быстродействие: нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr): 0 нс
Ток при изменяющемся Vr - обратная утечка: 400 мкА при 1200 В
Рабочая температура - спай: -40°C ~ 175°C
Тип монтажа: монтаж на шасси
Упаковка/корпус: SOT-227-4, miniBLOC
Комплект поставки: SOT-227B
Области применения
● Солнечные инверторы
● Источники бесперебойного питания (ИБП)
● Сварочное оборудование
● Импульсные источники питания
● Медицинское оборудование
● Высокоскоростные выпрямители
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
Microchip
Module
1000
Массив диодов 1 пара последовательно 700 В 150 А Модуль для монтажа на шасси
Microchip
Module
1000
Массив диодов 1 пара с общим катодом 1200 В 100 А Модуль для монтажа на шасси
Microchip
SOT-227-4
1000
MSC2X31/30SDA070J Двойной диод Шоттки с барьером из карбида кремния
Microchip
Module
1000
Массив диодов 1 пара с общим катодом 700 В 150 А Модуль для монтажа на шасси
Microchip
SOT-227-4
1000
Массив диодов 2 Автономный 1200 В 30 А Монтаж на корпус SOT-227-4, miniBLOC
Microchip
SOT-227-4
1000
Массив диодов 2 Автономный 1200 В 100 А (DC) Монтаж на корпус SOT-227-4, miniBLOC
Microchip
SOT-227-4
1000
Массив диодов 2 независимых 700 В 100 А (DC) Монтаж на корпус SOT-227-4, miniBLOC
Microchip
Module
1000
Массив диодов 1 пара с общим катодом 700 В 100 А Модуль для монтажа на шасси
Microchip
Module
1000
Диодные массивы 1 пара серии 1700 В 200 А Модуль для установки на шасси
Microchip
Module
1000
Массив диодов 1 пара с общим катодом 1200 В 150 А Модуль для монтажа на шасси
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
IXYS со штаб-квартирой в Силиконовой долине, США, была основана в 1983 г. Основное направление деятельности: MOSFET, IGBT, тиристор, SCR, выпрямительн…
MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR - это N-канальный 1200-вольтовый SiC MOSFET модуль.Технические характеристикиПродукт: Модули силовых МОП-транзисторов Тип: Полумостово…IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC - это N-канальный 1200V 47A SiC MOSFET модуль.Технические характеристикиТип: HiperFET Технология: SiC Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 В, + 20 В Стиль…IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV — 25 в 29 а сер IGBT высок давлен, устройств принят собствен XPT ™ BoJing круг техническ и наибол передов IGBT технологическ исследован, сопро…IXGX320N60B3
IXGX320N60B3 — среднечастотный IGBT, производимый с использованием технологии HDMOS IGBT для PT (пирсинга).600V GenX3 ™ направлен на ток прикладн оптимизир…IXBK55N300
IXBK55N300 — семейство IGBT, разработанное компанией ixbk55n300 для производства сверхвысокого напряжения.BiMOSFET имеет преимущества в совместве с MOSFE…MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - Силовые MOSFET-транзисторы класса X2 на 600 В, 160 мОм, 18 А с диодом FRED Co-PackКлючевые характеристики MOSFET- Низкие RDS(ON) и QG- Быстрое переключе…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: