sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:PSMN3R5-80YSFX
Руководство по данным:PSMN3R5-80YSFX.pdf
бренд:Nexperia
год выпуска:23+
пакет:LFPAK56
срок поставки:Новый оригинал.
количество запасов: 1000
PSMNN 3r5-80yssfx 80V MOSFET рекомендует использовать для эффективных переключателей и высоких надежных приложений. MOSFET обладает 50% низкой RDS(on) и мощной противолавинной энергией, которая очень хорошо применяется к источникам питания, телекоммуникациям, промышленному проектированию, зарядным устройствам и адаптерам USB-PD Type-C и адаптерам, а также к 48V spectront.
спецификац
Тип FET: канал N
Технология: MOSFET (окисел металла)
Напряжение утечки (Vdss) : 80 V
25 ° C ток-утечк подряд очен (Id) : 150A (та)
Напряжение двигателя (максимальная Rds On, минимальная Rds On) : 7V, 10V
Различные Id, Vgs-часовое сопротивление (максимум) : 3.5 миллиoo@25a, 10V
Различные Id-часы Vgs(th) (максимум) : 4V @1ma
Различные заряды сетки Vgs-часов (Qg) (максимум) : 108 nC @10 V
Vgs (максимум) : минус 20V
Во время различных Vds-часов входная ёмкость (Ciss) (максимум) : 7227 pF @40 V
Функция FET
Максимальная потеря мощности: 294W (Ta)
Температур работ: - 55 ° C - 175 ° C (ти дже)
Тип установки: тип поверхностной наклейки
Упаковка оборудования поставщика: LFPAK56, Power-SO8
Инкапсуляция/оболочка: SOT-1023 4-LFPAK
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный логический уровень 40 В, 2,2 мОм макс., 167 A STripFET F8 Силовой MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный логический уровень 40 В, 2,2 мОм макс., 167 A STripFET F8 Силовой MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6
ST
PowerFLAT-4
1000
Автомобильный N-канальный повышающий логический уровень 40 В, 0,75 мОм макс, 373 А Силовой MOSFET STripFET F8
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный силовой МОП-транзистор STripFET™ F7 на 100 В, 5 мОм, 107 А, в корпусе PowerFLAT™ 5x6
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный повышающий режим логического уровня 40 В, 0,8 мОм макс, 360 А, силовой МОП-транзистор STripFET F8
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный 100 В, 3,2 мОм макс, 158 A STripFET F8 Силовой MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6
INFINEON
PG-TO247-4-11
1000
Канал N со сквозным отверстием 1200 В 69А (Тс) 326 Вт (Тс) PG-TO247-4-11
INFINEON
PG-TO247-4-14
1000
Канал N со сквозным отверстием 1200 В 17А (Тс) 109 Вт (Тс) PG-TO247-4-14
INFINEON
PG-TO247-4
1000
Канал N со сквозным отверстием 1200 В 31A (Tc) 169 Вт (Tc) PG-TO247-4-14
INFINEON
PG-TO247-4
1000
Канал N со сквозным отверстием 1200 В 202 А (Тс) 750 Вт (Тс) PG-TO247-4-11
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Ansys Semiconductor (China) Co. Nexperia - ведущий мировой производитель, специализирующийся на производстве дискретных приборов, логических устройств и М…
PMZ290UNE2
N-канальный MOSFET PMZ290UNE2 - это полевой транзистор с улучшающим режимом работы (FET) с низким пороговым напряжением и быстрым переключением. Эти…PSMNR90-40YLHX
PSMNR90-40YLHX 300-амперный N-канальный усилительный МОП-транзистор в корпусе LFPAK56E с температурой 175 C, выполненный по передовой технологии TrenchMOS S…PSMNR55-40SSHJ
МОП-транзистор с N-канальным повышающим режимом работы в корпусе LFPAK88 с непрерывным током 500 А, с приводом затвора стандартного уровня, PSMNR…PSMN2R0-100SSFJ
PSMN2R0-100SSFJ NextPower 100 В, затворный МОП-транзистор стандартного уровня. Они рассчитаны на температуру до 175 C и рекомендуются для применения в пр…PSMN1R0-30YLEX
PSMN1R0-30YLEX N-канальный ASFET с улучшенным режимом усиления для горячей замены с улучшенной SOA в корпусе LFPAK56, оптимизированный для низкого RDSon и…PSMN1R4-40YSHX
PSMN1R4-40YSHX - это высокопроизводительные МОП-транзисторы на 25, 30 и 40 В, в которых реализована уникальная технология суперперехода компании Nex…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: