sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:FGY75T120SWD
Руководство по данным:FGY75T120SWD.PDF
бренд:ON
год выпуска:23+
пакет:TO-247-3
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
Новая технология IGBT 7-го поколения с отсечкой поля и диод 7-го поколения в 3-контактном корпусе TP247 обеспечивают оптимальные характеристики с низкими потерями на проводимость и переключение для эффективной работы в широком спектре приложений, таких как фотоэлектричество, источники бесперебойного питания (ИБП) и системы накопления энергии (СНО).
Технические характеристики
Производитель: onsemi
Категория продукта: IGBT-транзисторы
Технология: Si
Упаковка / корпус: TO-247-3
Стиль монтажа: сквозное отверстие
Конфигурация: одиночный
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер VCEO: 1,2 кВ
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,68 В
Максимальное напряжение затвор/эмиттер: - 20 В, 20 В
Непрерывный ток коллектора при 25 C: 150 A
Рассеиваемая мощность: 503 Вт
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Максимальный длительный коллекторный ток Ic: 150 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 400 нА
Области применения
Бустеры и инверторы для фотоэлектрических систем
ИБП
Системы накопления энергии
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ST
TO-247
5000
650 В, 80 А Высокоскоростные IGBT с траншейным затвором и отсечкой поля серии HB
ST
D2PAK-3
5000
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 В - прочные IGBT с коротким замыканием
INFINEON
PG-TO220-3
5000
IGBT на 600 В, 15 А с антипараллельным диодом в корпусе TO-220 Full-Pak
ROHM
TO-247N-3
2000
1200V 69A Полевые траншейные IGBT транзисторы для автомобильной промышленности
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S - это высокопроизводительный быстродействующий JFET F3 SiC с каскодным оптимизированным MOSFET для создания единственного на современн…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET основан на уникальной каскодной конфигурации схемы, в которой нормально включенный SiC JFET совмещен с Si MOSFET для создания нормал…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1: 1700 В, 45 А, 53 мОм, карбид кремния (SiC) N-канальный MOSFET транзистор, TO-247-4Модель: NVH4L050N170M1Корпус: TO-247-4Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзисто…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: