sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:XPQR3004PB
Руководство по данным:XPQR3004PB.pdf
бренд:TOSHIBA
год выпуска:23+
пакет:8-PowerBSFN
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1000
XPQR3004PB - кремниевые N-канальные МОП-транзисторы.
Атрибуты изделия
Тип МОП-транзистора: N-канальный
Технология: MOSFET (металл-оксид)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток непрерывного стока (Id) при 25°C: 400 А (Ta)
Напряжение питания (Max Rds On, Min Rds On): 6 В, 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0,3 мОм @ 200A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3В @ 1мА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 295 нК при 10 В
Vgs (Max): ±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 26910 пФ @ 10 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 750 Вт (Tc)
Рабочая температура: 175°C
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Комплект поставки: L-TOGL™
Упаковка / корпус: 8-PowerBSFN
Характеристики
Соответствие стандарту AEC-Q101
Низкое сопротивление включения стока-источника: RDS(ON) = 0,23 мОм (тип.) (VGS = 10 В)
Низкий ток утечки: IDSS = 10 мкА (макс.) (VDS = 40 В)
Режим усиления: Vth = 2,0...3,0 В (VDS = 10 В, ID = 1,0 мА)
Области применения
Автомобильные
Коммутационные регуляторы напряжения
Драйверы двигателей
DC-DC преобразователи
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный логический уровень 40 В, 2,2 мОм макс., 167 A STripFET F8 Силовой MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный логический уровень 40 В, 2,2 мОм макс., 167 A STripFET F8 Силовой MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6
ST
PowerFLAT-4
1000
Автомобильный N-канальный повышающий логический уровень 40 В, 0,75 мОм макс, 373 А Силовой MOSFET STripFET F8
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный силовой МОП-транзистор STripFET™ F7 на 100 В, 5 мОм, 107 А, в корпусе PowerFLAT™ 5x6
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный повышающий режим логического уровня 40 В, 0,8 мОм макс, 360 А, силовой МОП-транзистор STripFET F8
ST
PowerFLAT-4
1000
N-канальный 100 В, 3,2 мОм макс, 158 A STripFET F8 Силовой MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6
INFINEON
PG-TO247-4-11
1000
Канал N со сквозным отверстием 1200 В 69А (Тс) 326 Вт (Тс) PG-TO247-4-11
INFINEON
PG-TO247-4-14
1000
Канал N со сквозным отверстием 1200 В 17А (Тс) 109 Вт (Тс) PG-TO247-4-14
INFINEON
PG-TO247-4
1000
Канал N со сквозным отверстием 1200 В 31A (Tc) 169 Вт (Tc) PG-TO247-4-14
INFINEON
PG-TO247-4
1000
Канал N со сквозным отверстием 1200 В 202 А (Тс) 750 Вт (Тс) PG-TO247-4-11
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
TOSHIBA (Toshiba), крупнейший производитель полупроводников в Японии, второй по величине интегрированный производитель двигателей, входит в сос…
CTS521
Малогабаритные сигнальные барьерные диоды Шоттки CTS521, номиналы по напряжению и току для удовлетворения различных проектных требований.…TK10A80E
МОП-транзисторы π-MOS VIII компании Toshiba представляют собой одноканальные N-канальные приборы с питанием от затвора 10 В, созданные по планарн…TW070J120B,S1Q
TW070J120B,S1Q, разработанный специально для использования регуляторов напряжения переключателя, MOSFET третьего поколения карбида кремнияСпеци…TW015N120C,S1F
Устройство MOSFET разработано TW015N120C,S1F N-каналом 1200V 100A (встроенный SiC-shutki-барьер)Спецификация продукции:Тип FET: канал NТехнология: SiCFET (карбид …TW140N120C,S1F
TW140N120C,S1F(1200V) третье поколение (встроенный SiC-шатецкий диод барьера)MOSFET (MOSFET) помогает снизить энергопотребление и увеличить плотность мощ…TW045N120C,S1F
1200V TW045N120C,S1F — прибор, разработанный на основе карбида кремния MOSFET, разработанный чипом с встроенным SiC-шетским барьером. Эти мосфеты помог…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: