sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:TK10A80E
Руководство по данным:TK10A80E.pdf
бренд:TOSHIBA
год выпуска:23+
пакет:TO-220F
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 20000
МОП-транзисторы π-MOS VIII компании Toshiba представляют собой одноканальные N-канальные приборы с питанием от затвора 10 В, созданные по планарному полупроводниковому техпроцессу Toshiba восьмого поколения, сочетающему высокий уровень интеграции ячеек и оптимизацию их конструкции. Эта технология позволяет уменьшить заряд и емкость затвора по сравнению с предыдущими поколениями, не теряя при этом такого преимущества, как низкий RDS(ON). Эти МОП-транзисторы, рассчитанные на напряжение 800 и 900 В, предназначены для использования в таких приложениях, как flyback-преобразователи в светодиодном освещении, вспомогательные источники питания и другие схемы, требующие коммутации тока менее 5,0 А. Приборы выпускаются в стандартном форм-факторе TO-220 со сквозным отверстием и в корпусе DPAK для поверхностного монтажа.
Характеристики TK10A80E
Тип транзистора: N-канальный
Технология: MOSFET (металл-оксид)
Напряжение сток-исток (Vdss): 800 В
Ток при 25°C - непрерывный сток (Id): 10 А (Ta)
Напряжение питания (макс. Rds On, мин. Rds On): 10 В
Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 1 Ом @ 5A, 10V
Vgs(th) при различных Id (макс.): 4 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (макс.) при различном Vgs: 46 нК при 10 В
Vgs (max): ±30 В
Входная емкость (Ciss) при различном Vds (макс.): 2000 пФ @ 25 В
Функция FET: -
Рассеиваемая мощность (макс.): 50 Вт (Tc)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип монтажа: сквозное отверстие
Комплект поставки: TO-220SIS
Упаковка/корпус: TO-220-3 Complete Package
Области применения
Коммутационные регуляторы
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-HSOG-8
3000
120 В OptiMOS™ 6 силовой N-канальный MOSFET Транзистор, PG-HSOG-8
Wolfspeed
TO-247-3
2000
650 В, 60 мОм, 37 А Кремниевые карбидные силовые MOSFET-транзисторы в корпусе TO-247-3
Wolfspeed
TO-247-4
2000
650 В, 60 мОм, 37 А Кремниевые карбидные силовые MOSFET-транзисторы в корпусе TO-247-4
Wolfspeed
TO-247-3
2000
650V, 45mΩ, 49A Кремниевые карбидные силовые MOSFET транзисторы в корпусе TO-247-3
Wolfspeed
TO-263-7
2000
650 В, 45 мОм, 47 А, Карбид кремния Силовые MOSFET транзисторы TO-263-7
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
TOSHIBA (Toshiba), крупнейший производитель полупроводников в Японии, второй по величине интегрированный производитель двигателей, входит в сос…
TW140Z120C
TW140Z120C представляет собой карбид кремния MOSFET третьего поколения 20A, 1200V в упаковке TO-247-4, предназначенный для мощных промышленных применен…TW060Z120C
TW060Z120C представляет собой карбид кремния MOSFET третьего поколения 36A, 1200V в упаковке TO-247-4.спецификацТип FET: канал NсикИсточник напряжения уте…TW045Z120C
TW045Z120C — 40A, 1200V, третье поколение карбида кремния MOSFETТип FET: канал NсикИсточник напряжения утечки (Vdss) : 1200 V25 C ток-утечк подряд очен (Id) : 40A (ти…TW015Z120C
TW015Z120C — прибор, разработанный для крупномасштабного применения в промышленности карбида кремния в третьем поколении, таких как 400V и 800V д…TW015Z65C
TW015Z65C — карбид кремния третьего поколения с высоким напряжением, быстрыми переключателями и более низким электрическим сопротивлением. …TW027Z65C
Устройство TW027Z65C () — карбид кремния третьего поколения с высоким напряжением, быстрыми переключателями и более низким электрическим соп…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: