Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Приемопередатчик с радиочастотной выборкой Преобразователь уровня логики Интерфейсная ИС - многоскоростной ретаймер Расширитель SAS Модуль усилителя мощности Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор Высокоскоростной компаратор Интерфейс - многоскоростной таймер Контроллер USB Процессор сигналов ПЗС Фотометрические передние панели Изолирующие усилители Контроллер цифрового дисплея Цифровой контроллер Аудиопроцессоры

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио Soc

защита цепи

IC для подавления перенапряжения ESD подавители/TVS диоды Газоразрядные трубки - ГРТ / Газоплазменные ограничители TVS — гибридная технология

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Круглые разъемы Автомобильные разъемы Краевые разъемы карты Межплатные и мезонинные разъемы FFC, FPC (плоские гибкие) разъемы Разъемы объединительной панели Прямоугольные разъемы Коаксиальный разъем (РЧ) Прямоугольные разъемы — массив, край, мезонин (плата к плате)

Датчики

Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики - датчики освещенности, инфракрасные датчики, ультрафиолетовые датчики Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Оптические датчики - окружающее освещение Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп Ультразвуковой приемник, передатчик (измерение расстояния) Оптические датчики - Отражающие - Логический выход Сенсорный модуль Датчик давления Текущие датчики Емкостные сенсорные датчики

Память

Флэш-память NOR оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Встраиваемые и сетевые процессоры

Безопасные процессоры
Первая страница /Память/синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

MT40A2G8AG-062E AUT:F

MT40A2G8AG-062E AUT:F

MT40A2G8AG-062E AUT:F.pdf
Micron

Produktbeschreibung:Память SDRAM-DDR4 IC 16Gb синхронизирована с 1,6 ГГЦ 19 н78 -FBGA

пакет:78-FBGA
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT40A1G16TD-062E AUT:F

MT40A1G16TD-062E AUT:F

MT40A1G16TD-062E AUT:F.pdf
Micron

Produktbeschreibung:Память SDRAM-DDR4 IC 16Gb модуля под 1,6 гб ГГЦ 19 нс - 96-FBGA

пакет:96-FBGA
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT40A4G4SA-062E:F

MT40A4G4SA-062E:F

MT40A4G4SA-062E:F.pdf
Micron

Produktbeschreibung:Память SDRAM-DDR4 IC 16Gb параллельная 1,5 ГГЦ 19 нс 78-FBGA (7.5x11)

пакет:78-FBGA
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT53E512M64D2RR-046 WT:B

MT53E512M64D2RR-046 WT:B

Micron

Produktbeschreibung:IC Память DRAM 32G 512MX64 FBGA

пакет:BGA
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT47H128M16RT-25E:C

MT47H128M16RT-25E:C

MT47H128M16RT-25E:C.pdf
Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - DDR2 память ИС 2 Гбит параллельная 400 МГц 400 пс

пакет:84-FBGA
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT47H128M16RT-25E AIT:C

MT47H128M16RT-25E AIT:C

MT47H128M16RT-25E AIT:C.pdf
Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - DDR2 память ИС 2 Гбит параллельная 400 МГц 400 пс

пакет:84-FBGA
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT47H32M16NF-25E:H

MT47H32M16NF-25E:H

MT47H32M16NF-25E:H.pdf
Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - DDR2 память IC 512 Мбит параллельно 400 МГц 400 пс

пакет:84-FBGA
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT48H32M16LFB4-6 IT:C

MT48H32M16LFB4-6 IT:C

MT48H32M16LFB4-6 IT:C.pdf
Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - мобильная LPSDR память IC 512Mbit Parallel 166 MHz 5 ns

пакет:54-VFBGA
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT40A1G16KNR-075:E

MT40A1G16KNR-075:E

MT40A1G16KNR-075:E.pdf
Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - DDR4 Память ИС 16 Гбит Параллельная 1,33 ГГц 19 нс

пакет:96-FBGA
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT40A256M16LY-062E AUT:F

MT40A256M16LY-062E AUT:F

MT40A256M16LY-062E AUT:F.pdf
Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gbit Parallel 1.6 GHz 19 ns

пакет:96-FBGA
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT62F512M64D4EK-031 AIT:B

MT62F512M64D4EK-031 AIT:B

Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - мобильная память LPDDR5 ИС 32 Гбит параллельно 3,2 ГГц

пакет:441-TFBGA
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT41K512M16VRP-107 AIT:P

MT41K512M16VRP-107 AIT:P

MT41K512M16VRP-107 AIT:P.pdf
Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - DDR3L Memory IC 8Gbit Parallel 933 MHz 20 ns

пакет:96-FBGA
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT62F1G32D4DS-031 AUT:B

MT62F1G32D4DS-031 AUT:B

Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - ИС памяти LPDDR5 для мобильных устройств 32 Гбит параллельно 3,2 ГГц

пакет:200-WFBGA
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT53E2G32D4DE-046 AIT:C

MT53E2G32D4DE-046 AIT:C

Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - мобильная память LPDDR4X ИС 64 Гбит параллельная 2,133 ГГц 3,5 нс

пакет:200-TFBGA
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT53E1536M32D4DE-046 AAT:B

MT53E1536M32D4DE-046 AAT:B

Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - мобильная память LPDDR4 ИС 48 Гбит параллельная 2,133 ГГц 3,5 нс

пакет:200-TFBGA
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
MT53E1536M32D4DE-046 AIT:C

MT53E1536M32D4DE-046 AIT:C

Micron

Produktbeschreibung:SDRAM - мобильная память LPDDR4 ИС 48 Гбит параллельная 2,133 ГГц 3,5 нс

пакет:200-TFBGA
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 27 записи«Предыдущая страница12Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler