Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Приемопередатчик линии электропередачи Петля с фазовой автоподстройкой - PLL Приемопередатчик с радиочастотной выборкой Преобразователь уровня логики Интерфейсная ИС - многоскоростной ретаймер Расширитель SAS Модуль усилителя мощности Часы/Тиминг, Осцилляторы Часы/таймер - Нано-таймер Цифровой перекрестный переключатель Ультразвуковой приемопередатчик Часы/Тиминг - Линия задержки Контроллер считывания карт Логика - шлюзы и инверторы Передатчик Изолированный компаратор Высокоскоростной компаратор Интерфейс - многоскоростной таймер Контроллер USB Процессор сигналов ПЗС Фотометрические передние панели Изолирующие усилители Контроллер цифрового дисплея

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы Модули беспроводной связи

фильтр

SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

защита цепи

IC для подавления перенапряжения ESD подавители/TVS диоды Газоразрядные трубки - ГРТ / Газоплазменные ограничители TVS — гибридная технология

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль Транзистор - UGBT, MOSFET - Одиночный

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Разъем USB Круглые разъемы Автомобильные разъемы Краевые разъемы карты Межплатные и мезонинные разъемы FFC, FPC (плоские гибкие) разъемы Разъемы объединительной панели Прямоугольные разъемы Коаксиальный разъем (РЧ) Прямоугольные разъемы — массив, край, мезонин (плата к плате)

Датчики

оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн Автомобильные миллиметроволновые радарные датчики Датчик изображения Радиолокационный датчик Датчик движения-гироскоп Ультразвуковой приемник, передатчик (измерение расстояния) Сенсорный модуль Датчик давления Текущие датчики Емкостные сенсорные датчики

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Встраиваемые и сетевые процессоры

Безопасные процессоры
Первая страница /Память/статический случайный доступ к памяти SRAM

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

CY62157G18-55BVXA

CY62157G18-55BVXA

INFINEON

Produktbeschreibung:SRAM - асинхронная память IC 8Mb параллельно 55 нс 48-VFBGA (6x8)

пакет:48-VFBGA
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
CY62157G18-55BVXI

CY62157G18-55BVXI

INFINEON

Produktbeschreibung:SRAM - асинхронная память IC 8Mb параллельно 55 нс 48-VFBGA (6x8)

пакет:48-VFBGA
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
CY62157G30-45BVXI

CY62157G30-45BVXI

INFINEON

Produktbeschreibung:SRAM - асинхронная память IC 8Mb параллельно 45 нс 48-VFBGA (6x8)

пакет:48-VFBGA
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
CY62157G30-45ZSX

CY62157G30-45ZSX

INFINEON

Produktbeschreibung:SRAM - асинхронная память IC 8Mb параллельно 45 нс 44-TSOP

пакет:44-TSOP
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
CY62157G30-45ZXA

CY62157G30-45ZXA

INFINEON

Produktbeschreibung:SRAM - асинхронная память IC 8Mb параллельно 45 нс 48-TSOP

пакет:48-TSOP
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
CY62167GN30-45BVXI

CY62167GN30-45BVXI

INFINEON

Produktbeschreibung:SRAM - асинхронная память IC 16Mb параллельно 45 нс 48-VFBGA (6x8)

пакет:48-VFBGA
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
CY62177G30-55BKXI

CY62177G30-55BKXI

INFINEON

Produktbeschreibung:SRAM - асинхронная память IC 32Mb параллельно 55 нс 48-FBGA (6x8)

пакет:48-FBGA
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
CY62148G30-45ZAXIT

CY62148G30-45ZAXIT

CY62148G30-45ZAXIT.pdf
INFINEON

Produktbeschreibung:Оперативная память MoBL™ объемом 4 МБ со сверхнизким энергопотреблением и ECC

пакет:32-TFSOP
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
RMWV6416AGSD-5S2

RMWV6416AGSD-5S2

RMWV6416AGSD-5S2.pdf
Renesas

Produktbeschreibung:Память со статическим произвольным доступом 64 МБ ADV. 3V TSOP52 55NS -40TO85C

пакет:52-TSOP
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
RMLV3216AGBG-5S2

RMLV3216AGBG-5S2

RMLV3216AGBG-5S2.pdf
Renesas

Produktbeschreibung:Память со статическим произвольным доступом 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C

пакет:FBGA-48
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
RMLV3216AGSD-5S2

RMLV3216AGSD-5S2

RMLV3216AGSD-5S2.pdf
Renesas

Produktbeschreibung:Память со статическим произвольным доступом 32 МБ ADV. 3V TSOP52 55NS -40TO85C

пакет:52-TFSOP
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
CY7C1051H30-10BVXI

CY7C1051H30-10BVXI

CY7C1051H30-10BVXI.pdf
Cypress

Produktbeschreibung:SRAM-синхронизированное запоминающее устройство IC 8Mb параллельно 10 нс - 48-VFBGA (6x8)

пакет:48-VFBGA
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
CY7C1441KV33-133AXI

CY7C1441KV33-133AXI

CY7C1441KV33-133AXI.pdf
Cypress

Produktbeschreibung:SRAM-синхронизация, память SDR IC 36Mb синхронизирована с 133 МГЦ 6.5 нс - 100-TQFP

пакет:100-TQFP
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
CY7C1514KV18-250BZXI

CY7C1514KV18-250BZXI

CY7C1514KV18-250BZXI.pdf
Cypress

Produktbeschreibung:Статическая память с произвольным доступом 72MB (2Mx36) 1.8v 250MHz QDR II

пакет:165-FBGA
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
S80KS2562GABHM023

S80KS2562GABHM023

S80KS2562GABHM023.pdf
INFINEON

Produktbeschreibung:ИМС памяти PSRAM (псевдо SRAM) 256 Мбит HyperBus 200 МГц 35 нс 24-FBGA (6x8)

пакет:24-VBGA
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
CY14E256LA-SZ45XI

CY14E256LA-SZ45XI

CY14E256LA-SZ45XI.pdf
Cypress

Produktbeschreibung:NVSRAM (неуязвимая SRAM) память IC 256Kbit синхронизирована с 45 нс 32-SOIC

пакет:32-SOIC
10 шт.
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 18 записи«Предыдущая страница12Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler