Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский

中文

English

English

日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

модель

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Усилитель видео Приемопередатчик CAN Процессор управления сервером переключатель шины дифференциальный усилитель Аналоговый переключатель перекрестных точек Передатчик HDMI драйвер лазера ИС аналоговых переключателей Ультразвуковой приемник Мультиплексоры и демультиплексоры Видеопроцессор Видеокодер Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС Искусственный интеллект чипы Интерфейс - Ретаймер трансимпедансный усилитель Ускоритель ближней памяти CXL и контроллер расширения памяти Аналоговый умножитель Интерфейсные микросхемы RS-422/RS-485 Изолированный CAN-трансивер Усилитель приборов Коммутаторы PCI Express

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы

фильтр

Полосно-задерживающие фильтры фильтр низких частот полосовой фильтр SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Микросхемы беспроводной связи Коммуникация ближнего поля (NFC) WiFi Bluetooth Wi-Fi Чип Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Модули беспроводной связи Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

ИИ процессорный чип

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Биполярные (BJT) транзисторы Карбид кремния (SiC) JFET Кремниевые диоды силовой модуль Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер наддува Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Обжимной проводной разъем Коннектор Nearstack ExtremePort Swift Разъемы Multi-Trak™ Разъемы Разъемы VITA 67.3 Разъемы SpaceVPX VITA 78 Разъем ExtremePort Z-Link Разъемы Displayport Магнитные джековые разъемы Разъемы SAS/PCIe 5.0 Разъемы SAS/PCIe 4.0 Мини-разъем USB Разъемы SFP112G Разъемы MiniSAS HD Разъемы OSFP-XD Разъемы DSFP Разъемы CXP Разъемы QSFP Разъемы OSFP Разъем SFP Разъемы CFP2 Разъемы ввода-вывода Mini Cool Edge Разъемы SlimSAS™ Разъемы Mini-SAS высокой плотности

Датчики

акселерометр Магнитно-резистивные датчики Датчик угла наклона Переключатели на эффекте Холла Индуктивный датчик Замки и переключатели с эффектом Холла Биосенсор Датчики времени пролета Кондиционеры сигналов датчиков оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Контроллеры SSD AI Память F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Сеть резисторов

Новая информация: динамика компании; Профессиональная информация

Первая страница /динамика компании /

Автомобильные MOSFET_IPD70N12S311_OptiMOS™ - силовые MOSFET для автомобильных приложений

Автомобильные MOSFET_IPD70N12S311_OptiMOS™ - силовые MOSFET для автомобильных приложений

Источник:этот сайтвремя:2024-12-04количество просмотров:

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. является долгосрочным поставщиком Infineon Автомобильные MOSFET_IPD70N12S311_OptiMOS™ - Силовые MOSFET для автомобильных приложений,…

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. является долгосрочным поставщиком Infineon Автомобильные MOSFET_IPD70N12S311_OptiMOS™ - Силовые MOSFET для автомобильных приложений, N-канальные 120 В 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3

Характеристики

N-канальный - Улучшенный режим

-Сертифицирован по стандарту AEC Q101 для автомобильной промышленности

-MSL1 Пиковая температура плавления до 260°C

Рабочая температура -175°C

-Соответствует стандарту RoHS

-100% лавинные испытания

Свойства продукта: IPD70N12S311

Производитель: Infineon

Категория продукта: МОП-транзисторы

Технология: Si

Стиль монтажа: SMD/SMT

Упаковка / корпус: DPAK-3 (TO-252-3)

Полярность транзистора: N-канальный

Количество каналов: 1 канал

Vds - напряжение пробоя сток-исток: 120 В

Id-непрерывный ток стока: 70 A

Rds - сопротивление включения стока: 9,2 мОм

Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 В, + 20 В

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 В

Qg - заряд затвора: 65 нК

Минимальная рабочая температура: - 55 C

Максимальная рабочая температура: + 175 C

Pd- рассеиваемая мощность: 125 Вт

Режим работы канала: улучшенный

Квалификация: AEC-Q101

Торговое название: OptiMOS

Конфигурация: одиночная

Время простоя: 8 нс

Тип продукта: МОП-транзисторы

Время нарастания: 8 нс

Серия: N-канальный

Тип транзистора: 1 N-канальный

Типичное время задержки выключения: 25 нс

Типовое время задержки включения: 17 нс

ПРИМЕНЕНИЯ

Высоковольтные DC-DC-преобразователи для электромобилей

Бортовая зарядка электромобилей (OBC)

Свяжитесь с нами

Телефон: +86 13410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Веб-сайт: www.hkmjd.com

[Поставка, переработка] Серия EPYC™ 9004: 100-000001256 Процессоры AMD EPYC™ 9384X возвращение
список IGBT-транзистор IGD03N120S7 1200 В, 3 А IGBT7 S7 в корпусе TO-252-3 pin

Iсправка

рекомендовать продукцию

88E1112-C2-NNC1C000

88E1112-C2-NNC1C000

VSC7425XJG-02

VSC7425XJG-02

VSC7552TSN-V/5CC

VSC7552TSN-V/5CC

VSC7427XJG-02

VSC7427XJG-02

88E6190-A0-TLA2C000

88E6190-A0-TLA2C000

XC6VLX195T-2FFG784C

XC6VLX195T-2FFG784C

компания: о нас; информация; Почетные качества

Инвентаризационный запрос: сортировочный запрос; запрос поставщика

Центр помощи: онлайновый запрос; Общие вопросы; карта сайта

связаться с нами: контактный телефон:86-755-83294757; предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585; время службы:9:00-18:00; почтовый ящик:sales@hkmjd.com; адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x; CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу: