Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Чтобы соответствовать требованиям безопасной работы с горячей заменой для серверов ИИ и телекоммуникаций, MOSFET должен иметь надежный линейный режим работы и низкий RDS (on). Новый OptiMOS 5 Linear FET 2 от Infineon Technologies решает эту проблему, Этот MOSFET предназначен для достижения идеального баланса между RDS (on) траншейного MOSFET и широкой безопасной рабочей зоной (SOA) классического плоского MOSFET.

Полупроводниковый прибор может минимизировать свои потери во время работы, ограничивая высокий ток прилива. По сравнению с предыдущим поколением OptiMOS Linear FET, OptiMOS Linear FET 2 улучшил SOA в высоких температурах, понизил ток утечки сетки и расширил область выбора упаковки. Это позволило каждому контроллеру совмещать больше MOSFET, не только уменьшая расходы на материалы (BOM), но и способствуя большей гибкости в дизайне посредством расширения комбинаций продукции.

100 V OptiMOS Linear FET 2 использует инкапсуляцию TO-leadless (TOLL). По сравнению со стандартом OptiMOS 5, который близок к стандарту RDS(on), прибор в 12 раз превосходит соа в 10 мs, 54 V и в 3,5 раза выше соа в 100 МКМ. Последнее улучшение было особенно важно для защиты батареи в случае короткого замыкания системы управления батареями (BMS). В случае короткого замыкания ключ к проектированию и надежности систем безопасности лежит в распределении тока между параллельными мосфетами.

Опtimos 5 Linear FET 2 улучшила распределение тока с помощью оптимизации характеристик передачи. При широком соа и улучшенном шунте тока количество компонентов может быть сокращено до 60% в конструкции, в которой число компонентов определяется коротким током. Это реализует высокоэнергетическую, эффективную и надежную защиту аккумуляторов, которые могут быть широко использованы в таких областях, как электроинструменты, электровелосипеды, электрические мотоциклы, погрузчики, резервные батареи, чистые электромобили и т.д.

Сайт компании: www.hkmjd.com