Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

Сеть резисторов

Первая страница /Профессиональная информация /

SK Hynix массово производит самую высокую в мире 321-слойную флэш-память TLC 4D NAND объемом 1 Тб

SK Hynix массово производит самую высокую в мире 321-слойную флэш-память TLC 4D NAND объемом 1 Тб

Источник:этот сайтвремя:2024-11-21количество просмотров:

21 ноября компания SK Hynix объявила о начале массового производства самой высокопроизводительной в мире 321-слойной флэш-памяти 4D NAND объемом …

21 ноября компания SK Hynix объявила о начале массового производства самой высокопроизводительной в мире 321-слойной флэш-памяти 4D NAND объемом 1 Тб (терабит, не то же самое, что терабайт) с ячейками TLC (Triple Level Cell).

QQ图片20241121113607.png

321-слойный продукт, как утверждается, обеспечивает увеличение скорости передачи данных и производительности чтения на 12 и 13 % соответственно, а также более чем 10 %-ное увеличение энергоэффективности чтения данных по сравнению с предыдущим поколением.


SK Hynix заявила: «После массового производства предыдущего поколения 238-слойной флэш-памяти NAND, которая на данный момент является самой высокой, и ее поставки на рынок с июня 2023 года, мы раздвинули границы технологий, выпустив первую флэш-память NAND с более чем 300 слоями». SK Hynix планирует отреагировать на рыночный спрос, предложив клиентам 321-слойные продукты с первой половины следующего года».


Согласно отчету, SK Hynix применила высокоэффективную технологию «3-Plug», чтобы преодолеть ограничения по укладке при разработке этого продукта.


Утверждается, что технология выполняет сквозное отверстие в три этапа, после чего следует оптимизированный последующий процесс, который электрически соединяет три сквозных отверстия. В процессе были разработаны материалы с низкой степенью деформации, а также внедрена технология автоматической коррекции выравнивания между сквозными отверстиями.


Кроме того, техническая команда SK Hynix применила платформу разработки предыдущего поколения 238-слойной флэш-памяти NAND к 321-слойной, что позволило свести к минимуму вариации процесса и повысить производительность на 59 % по сравнению с предыдущим поколением.

компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler