Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Для удовлетворения растущего спроса электронных систем на более высокую эффективность, меньшие размеры и более высокую производительность, энергетические компоненты непрерывно развиваются. Микрочип Technology (Microchip Technology technology) на днях объявил о разработке комбинаций IGBT - 7, которые будут использовать различные инжиниры, поддерживать различные топологические структуры и диапазон тока и напряжения.

Эта новая комбинация продукции имеет более высокую мощность, более низкие потери мощности и компактные размеры приборов, которые направлены на удовлетворение спроса на устойчивое развитие, электромобили и центры обработки данных, такие как высокие сегментарные рынки роста. Высокопроизводительный IGBT 7 является ключевым элементом в применении электропитания в солнечных инвертерах, водородных экосистемах, коммерческих и сельскохозяйственных автомобилях, а также в других электросамолётах (MEA).

Дизайнеры могут выбрать подходящие решения на основе собственных требований. IGBT 7 использует стандартные D3 и D4 62 мм инкапсуляции, а также SP6C, SP1F и SP6LI. Компоновка продукта может обеспечить несколько конфигураций в топологической структуре ниже: трехступенчатая нейтральная топологическая плоскость (NPC), трехфазный мост, бустер, разрядный прерыватель, двойной источник, фазовый мост, фазовый выключатель и т-тип. Поддерживаемое напряжение составляет от 1200V до 1700V и от 50A до 900A.

Вице-президент компании Microchip леон гросс заявил, что "многофункциональная IGBT 7 series является идеальным сочетанием доступности и рентабельности с более высокой плотностью мощности и надежностью, обеспечивая нашим клиентам наибольшую гибкость. Эти продукты разработаны исключительно для использования в промышленности общего назначения, а также для специальных авиационно-космических и оборонных приложений. Кром тог, наш питан решен такж с Microchip широк FPGA, микроконтроллер (отдел особ тяжк), микропроцессор (MPU), dsPIC ® контроллер цифров сигнал (DSC) и симулятор интегрирова, реализова в поставщик полн систем решен."

Более низкий проводящий IGBT напряжение (Vce), улучшенный антипараллельно-параллельно-диоды (Vf ниже) и более высокая электрическая мощность могут обеспечить более низкие потери мощности, более высокую плотность и более высокую системную эффективность. Низк индуктивн инкапсуляц плюс Tvj - 175 ° C бол высок перегрузк способн, эт устройств стал по бол низк сист затрат создан прочн прочн, высоконадёжн авиацион и оборон прикладн (например, продвижен, привод и распределен электроэнерг) отличн выбор.

Для использования электромеханического управления, которое необходимо для усиления управляемости dv/dt, IGBT 7 был спроектирован таким образом, чтобы обеспечить эффективное, гладкое и оптимизированное управление переключателем, таким образом делая электродвигатель гладким и гладким. Эти высокопроизводительные устройства также направлены на повышение надежности системы, снижение EMI и снижение напряжения.

Microchip предлага широк питан к управлен решен комбинац, включ симулятор -, кремн (СИ) и карбид кремн (SiC) питан технолог, dsPIC ® цифров сигнал контроллер (ССЗ) и стандарт, улучшен и сдела на заказ питан модул. Дополнительная информация о продуктах питания Microchip доступна на сайте.

Для получения дополнительной информации необходимо посетить сайт www.microchipdirect.com.

Сайт компании: www.hkmjd.com