Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Вчера, 8 ноября, компания Kioxia объявила о том, что ее предложение «Разработка инновационной технологии производства памяти» было принято Японской организацией по развитию новых энергетических и промышленных технологий (NEDO) в рамках программы «Проект исследований и разработок по укреплению инфраструктуры информационно-коммуникационной системы Post-5G/Развитие технологии производства полупроводников». Проект исследования и развития инфраструктуры информационно-коммуникационной системы Post-5G/развитие технологии производства полупроводников», осуществляемый NEDO.

По мнению Kioxia, в эпоху информационно-коммуникационных систем после 5G объем данных, генерируемых такими факторами, как распространение искусственного интеллекта, станет чрезвычайно большим, что приведет к увеличению объемов обработки данных и энергопотребления в центрах обработки данных. Поэтому память, используемая в центрах обработки данных, должна быть способна передавать данные на высоких скоростях между высокопроизводительными процессорами, увеличивая пропускную способность и снижая энергопотребление.

Компания Kioxia планирует разработать новый тип памяти с CXL-интерфейсом с целью создания нового типа памяти, которая потребляет меньше энергии и имеет более высокую плотность битов, чем память DRAM, обеспечивая при этом более высокую скорость чтения, чем флэш-память NAND. Это не только повысит эффективность использования памяти, но и поможет сэкономить электроэнергию.

О компании Kioxia

Компания Kioxia разрабатывает, производит и продает флэш-память (FLASH) и твердотельные накопители (SSD). Будучи мировым лидером в области решений для памяти, компания Kioxia является одним из ведущих мировых производителей микросхем флэш-памяти NAND, занимая на мировом рынке второе место после Samsung. В 2012 году компания Kioxia выпустила первую в мире 24-слойную флэш-память BiCS1 3D NAND, которая была оптимизирована и доработана до 162 слоев. В 2012 году компания Kioxia выпустила первую в мире 24-слойную флэш-память BiCS1 3D NAND, а после непрерывной оптимизации и развития успешно разработала 162-слойную флэш-память BiCS6 3D NAND, которая обеспечивает еще более высокую производительность для твердотельных накопителей.