Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

Сеть резисторов

Первая страница /Профессиональная информация /

SK Hynix Первая в мире память HBM3E с 16-высокими параметрами, начало продаж в начале 2025 года

SK Hynix Первая в мире память HBM3E с 16-высокими параметрами, начало продаж в начале 2025 года

Источник:этот сайтвремя:2024-11-05количество просмотров:

Сегодня, 4 ноября, на SK AI Summit 2024 в Сеуле (Южная Корея) генеральный директор SK Hynix Руджунг Куо представил первую в мире память 16-High HBM3E. Продукт…

Сегодня, 4 ноября, на SK AI Summit 2024 в Сеуле (Южная Корея) генеральный директор SK Hynix Руджунг Куо представил первую в мире память 16-High HBM3E. Продукт имеет емкость одного стека 48 ГБ и, как ожидается, будет представлен в начале следующего года.

QQ图片20241105103945.png

Хотя принято считать, что 16-слойная стековая память HBM не будет официально представлена до следующего поколения HBM4, согласно статье Rambus, компании, занимающейся разработкой интеллектуальных технологий в области памяти, HBM3E имеет потенциал для расширения до 16 слоев.


В документе, подготовленном SK Hynix для конференции IEEE ISSCC 2024 в феврале этого года, также упоминается 48 ГБ 16-High HBM3E DRAM с пропускной способностью 1280 ГБ/с, и вполне вероятно, что продукт, представленный на этот раз, будет соответствовать результатам исследований и разработок из этого документа.


SK Hynix заявила, что производительность обучения ИИ в 16-High HBM3E на 18 % выше, чем у предшественника 12-High, а производительность вывода - на 32 %; в этой HBM-памяти по-прежнему используется передовая технология склеивания MR-MUF (объемное литье под давлением), и SK Hynix также разрабатывает гибридное склеивание с еще более высокой производительностью.


В сегменте памяти DRAM компания SK Hynix заявила, что помимо 16-High HBM3E, она также разрабатывает LPCAMM2 на основе 1c нм LPDDR5 и LPDDR6, которые предназначены для рынков ПК и центров обработки данных.


В сегменте флэш-памяти NAND компания также готовит твердотельные накопители PCIe 6.0, корпоративные SSD большой емкости на базе QLC и флэш-память UFS 5.0 следующего поколения.

компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler