Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Усилитель видео Приемопередатчик CAN Процессор управления сервером переключатель шины дифференциальный усилитель Аналоговый переключатель перекрестных точек Передатчик HDMI драйвер лазера ИС аналоговых переключателей Ультразвуковой приемник Мультиплексоры и демультиплексоры Видеопроцессор Видеокодер Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС Искусственный интеллект чипы Интерфейс - Ретаймер трансимпедансный усилитель Ускоритель ближней памяти CXL и контроллер расширения памяти Аналоговый умножитель Интерфейсные микросхемы RS-422/RS-485 Изолированный CAN-трансивер Усилитель приборов Коммутаторы PCI Express

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы

фильтр

Полосно-задерживающие фильтры фильтр низких частот полосовой фильтр SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Микросхемы беспроводной связи Коммуникация ближнего поля (NFC) WiFi Bluetooth Wi-Fi Чип Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Модули беспроводной связи Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

ИИ процессорный чип

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Биполярные (BJT) транзисторы Карбид кремния (SiC) JFET Кремниевые диоды силовой модуль Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер наддува Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Обжимной проводной разъем Коннектор Nearstack ExtremePort Swift Разъемы Multi-Trak™ Разъемы Разъемы VITA 67.3 Разъемы SpaceVPX VITA 78 Разъем ExtremePort Z-Link Разъемы Displayport Магнитные джековые разъемы Разъемы SAS/PCIe 5.0 Разъемы SAS/PCIe 4.0 Мини-разъем USB Разъемы SFP112G Разъемы MiniSAS HD Разъемы OSFP-XD Разъемы DSFP Разъемы CXP Разъемы QSFP Разъемы OSFP Разъем SFP Разъемы CFP2 Разъемы ввода-вывода Mini Cool Edge Разъемы SlimSAS™ Разъемы Mini-SAS высокой плотности

Датчики

акселерометр Магнитно-резистивные датчики Датчик угла наклона Переключатели на эффекте Холла Индуктивный датчик Замки и переключатели с эффектом Холла Биосенсор Датчики времени пролета Кондиционеры сигналов датчиков оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Контроллеры SSD AI Память F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Сеть резисторов

Новая информация
динамика компании
Профессиональная информация
Первая страница /динамика компании /

Модуль полумоста Infineon из карбида кремния SiC_FF17MR12W1M1HPB11_EasyDUAL™ 1B 1200 В, 33 мОм

Модуль полумоста Infineon из карбида кремния SiC_FF17MR12W1M1HPB11_EasyDUAL™ 1B 1200 В, 33 мОм

Источник:этот сайтвремя:2024-10-29количество просмотров:

Mingjiada Electronics [поставка] Infineon Карбид кремния SiC FF17MR12W1M1HPB11 полумост 1200В модуль с интегрированными CoolSiC™ MOSFETsОписание: FF17MR12W1M1HPB11Полумостовой м…

Mingjiada Electronics [поставка] Infineon Карбид кремния SiC FF17MR12W1M1HPB11 полумост 1200В модуль с интегрированными CoolSiC™ MOSFETs

QQ图片20241029140648.png

Описание: FF17MR12W1M1HPB11

Полумостовой модуль EasyDUAL™ 1B 1200 В, 33 мОм оснащен усовершенствованным MOSFET первого поколения CoolSiC™, встроенным датчиком температуры NTC, предварительно покрытым материалом термоинтерфейса и технологией обжима PressFIT.


Характеристики: FF17MR12W1M1HPB11

Лучший в своем классе корпус высотой 12 мм

Сочетание передовых широкополосных материалов в удобном модульном корпусе

Очень низкая паразитная индуктивность модуля

Широкая безопасная рабочая зона обратного смещения (RBSOA)

МОП-транзистор CoolSiC™ на 1200 В с усовершенствованной траншейной технологией первого поколения 

Увеличенное окно рекомендуемого напряжения управления затвором: расширено от +15 до +18 В и от 0 до -5 В

Расширенные максимальные напряжения затвор-исток: +23 В и -10 В

Рабочая температура спая Tvjop до 175°C в условиях перегрузки 

Контакт PressFIT

Встроенный датчик температуры NTC

Материал термоинтерфейса


Спецификация: FF17MR12W1M1HPB11

Серия: CoolSiC™  

Упаковка: лоток  

Статус детали: В продаже  

Технология: Карбид кремния (SiC)  

Напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В (1,2 кВ)  

Тип монтажа: Крепление на шасси  

Упаковка/корпус: Модуль  

Комплект поставки: AG-EASY1B 


Области применения

Высокочастотные коммутационные приложения

Преобразователи постоянного/постоянного тока

Системы бесперебойного питания

Зарядка постоянного тока для электромобилей


Схема

image.png

Mingjiada Поставка, Поставка IC, Поставка электронных компонентов, Поставка Bluetooth чип возвращение
список Infineon Память S26HL512TFPBHM013 NOR флеш FLASH 512MBIT HYPERBUS 24FBGA

Iсправка

рекомендовать продукцию

88E1112-C2-NNC1C000

88E1112-C2-NNC1C000

 VSC7425XJG-02

VSC7425XJG-02

 VSC7552TSN-V/5CC

VSC7552TSN-V/5CC

 VSC7427XJG-02

VSC7427XJG-02

 88E6190-A0-TLA2C000

88E6190-A0-TLA2C000

 XC6VLX195T-2FFG784C

XC6VLX195T-2FFG784C
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler