sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Источник питания Infineon IQE220N15NM5 OptiMOS™ 5 Низковольтный силовой MOSFET 150 В
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. поставляет Infineon IQE220N15NM5 OptiMOS™ 5 Low Voltage Power MOSFET 150 V in PQFN 3.3x3.3 Reduced Source Package, Приобретение N-Channel Power MOSFETsОписаниеIQE220N15NM5 вход…
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. поставляет Infineon IQE220N15NM5 OptiMOS™ 5 Low Voltage Power MOSFET 150 V in PQFN 3.3x3.3 Reduced Source Package, Приобретение N-Channel Power MOSFETs
Описание
IQE220N15NM5 входит в серию Source-Down с RDS(on) 22 мОм. Технология Source-Down использует кремниевую микросхему флип-флоп, которая инвертируется внутри компонента.
Это улучшает теплоотвод, плотность мощности и возможности компоновки. Новая технология доступна в двух вариантах: со стандартным затвором и центральным затвором (оптимизированным для параллельной работы).
Характеристики
RDS(on) 22 мОм
Лучший RthJC по сравнению с корпусами PQFN
Доступна стандартная площадь затвора
Новые возможности оптимизированной компоновки
Преимущества
Высочайшая плотность мощности и производительность
Отличные тепловые характеристики
Эффективное использование пространства
Стандартный затвор для простого монтажа
Улучшенные потери на печатной плате
Снижение паразитных наводок
Потенциальные применения
Привод
SMPS
Серверы
Телекоммуникации
Управление батареями
Главный URL: http://www.hkmjd.com/
время:2025-06-27
время:2025-06-27
время:2025-06-27
время:2025-06-27
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: