sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Модуль полумоста INFINEON FF8MR12W1M1HS4PB11 из карбида кремния CoolSiC™ MOSFET
Модуль полумоста INFINEON FF8MR12W1M1HS4PB11 из карбида кремния CoolSiC™ MOSFETОписание продуктаFF8MR12W1M1HS4PB11 - полумостовой модуль EasyDUAL™ 2B CoolSiC™ MOSFET 1200 В, 8 мОм…
Модуль полумоста INFINEON FF8MR12W1M1HS4PB11 из карбида кремния CoolSiC™ MOSFET
Описание продукта
FF8MR12W1M1HS4PB11 - полумостовой модуль EasyDUAL™ 2B CoolSiC™ MOSFET 1200 В, 8 мОм G1 со встроенным датчиком температуры NTC, контактной технологией PressFIT и керамикой из нитрида алюминия.
Характеристика
Лучший в своем классе модуль с высотой 12,25 мм
Передовой материал WBG
Очень низкая паразитная индуктивность модуля
Улучшенный CoolSiC™ MOSFET Gen 1
С улучшенной технологией 1 траншеи
Увеличенное окно напряжения управления затвором
Окно напряжения от 15 до 18 и от 0 до -5 В
Расширенные максимальные напряжения затвор-исток
Напряжения затвор-исток +23 В и -10 В
Tvjop: состояние перегрузки до 175°C
Встроенный датчик температуры NTC
Преимущества
Выдающаяся эффективность модуля
Преимущества по стоимости системы
Повышение эффективности системы
Снижение требований к охлаждению
Возможность использования более высоких частот
Увеличение плотности мощности
Теплопроводность материала DCB
Области применения
Системы хранения энергии
Зарядка электромобилей
Повышающий DC-DC преобразователь на топливных элементах
Фотоэлектрические
Источники бесперебойного питания (ИБП)
время:2025-06-27
время:2025-06-27
время:2025-06-27
время:2025-06-27
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: