sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Infineon FF55MR12W1M1HB70 Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET Модуль полумоста
Infineon FF55MR12W1M1HB70 Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET Модуль полумостаОписание продуктаFF55MR12W1M1HB70 - это полумостовой модуль 1200V 55mΩ EasyDUAL™ 1B на карбиде кре…
Infineon FF55MR12W1M1HB70 Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET Модуль полумоста
Описание продукта
FF55MR12W1M1HB70 - это полумостовой модуль 1200V 55mΩ EasyDUAL™ 1B на карбиде кремния CoolSiC™ MOSFET.
Характеристика
Широкий RBSOA
Очень низкая паразитная индуктивность
Увеличенное окно напряжения управления затвором
Штырьки PressFIT
Высокая теплопроводность
Преимущества
Расширенное максимальное напряжение затвор-исток +23 В и -10 В
Tvjop в условиях перегрузки до 175°C
Лучшее соотношение цены и качества, что приводит к снижению стоимости системы
Возможность работы на высоких частотах и снижение требований к охлаждению
Области применения
Зарядка электромобилей
Приводы промышленных двигателей и системы управления
Привод и управление серводвигателями
время:2025-06-27
время:2025-06-27
время:2025-06-27
время:2025-06-27
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: