Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

SAMSUNG недавно объявила, что первый 1-битный (Tb) четырехслойный блок (QLC) девятого поколения V-NAND (V-NAND) официально начал массовое производство.

В апреле самсунг запустил производство своей первой тройной единицы (TLC) в-нанд в девятом поколении, после чего последовал за достижением уровня V-NAND 9 - го поколения QLC, что еще больше укрепило позиции SAMSUNG на рынке высокоемких, высокопроизводительных NAND-накопителей.

Сангои хур, исполнительный вице-президент SAMSUNG и руководитель по продуктам и технологиям на флэш-памяти, заявил:

Спустя всего четыре месяца после последнего выпуска TLC, девятое поколение QLC V-NAND успешно заработало, что позволило нам обеспечить полный состав решений SSD, которые могли бы удовлетворить потребности эпохи искусственного интеллекта. По мере того как корпоративные рынки SSD становятся все более тенденциями и спрос на использование искусственного интеллекта растет, мы будем продолжать укреплять позиции самсунга на рынке через QLC и TLC V-NAND 9 - го поколения.

SAMSUNG планирует расширить сферу применения QLC 9 - го поколения V-NAND, начиная с брендовых потребительских товаров, расширяя их до мобильных универсальных флеш-карт (UFS), персональных компьютеров и серверов SSD для клиентов, включая облачных провайдеров.

В-нанд, девятое поколение SAMSUNG QLC, в-нанд, в комплексе использовало различные инновационные результаты, достигнув нескольких технологических прорывов.

Технология гравировки в туннеле, которой так гордится Самсон, позволяет достичь наибольшего числа единиц в настоящее время на основе двухсточной архитектуры. SAMSUNG использует технический опыт, накопленный в девятом поколении TCL V-NAND, оптимизировал площадь ячейки хранения и периферическую цепь, с увеличением битной плотности примерно на 86% по сравнению с предыдущим поколением QLC V-NAND.

• технология предварительного модуля (Designed Mold) способна регулировать расстояние между словами, контролирующими ячейки памяти (WL), с тем чтобы обеспечить, чтобы характеристики ячеек памяти, расположенных внутри одного и того же элемента, соответствовали друг другу и достигались наилучших результатов. Чем больше слоев V-NAND, тем более важна характеристика ячейки хранения. Технология предварительной плесени позволяет сохранить данные примерно на 20% выше, чем предыдущая версия, усиливая надежность продукции.

• технология прогнозирования (Predictive Program) может предсказать и контролировать изменения состояния в ячейках хранения, минимизируя как можно меньше ненужных операций. Технологический прогресс удвоил производительность записи в V-NAND в девятом поколении SAMSUNG QLC и увеличил скорость ввода/вывода данных на 60%.

• технология разработки низкого энергопотребления (Low-Power Design) позволяет считыванию данных сокращаться примерно на 30% и 50% соответственно. Эта технология снижает напряжение, необходимое для управления блоками хранения NAND, и позволяет измерить только необходимые битовые линии (BL), тем самым минимизируя как можно меньше энергозатрат.

Для получения дополнительной информации необходимо посетить news.samsung.com.

Веб-адрес компании: www.hkmjd.com