Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

5 августа компания Infineon представила на «2024 Shenzhen International Power Components, Renewable Energy Management Exhibition (далее PCIM Asia)», которая проходила в Шэньчжэне с 28 по 30 августа и была посвящена концепции бренда «Digital Low-Carbon, Creating the Future! Ориентируясь на концепцию бренда «Digital Low Carbon, Creating the Future Together», компания Infineon продемонстрировала широкий ассортимент продукции силовой электроники из кремния (Si), карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN), в котором впервые был представлен ряд продуктов и решений для возобновляемых источников энергии, электронной мобильности и приложений «умного дома». Энтузиасты-электронщики сообщают о посещении выставки и делятся с вами увиденным на месте.

На PCIM компания Infineon представила три силовых устройства на основе GaN. Одно из них - зарядное устройство Thunderbird мощностью 280 Вт на основе GaN, второе - средневольтный GaN-двигатель Infineon, а третье - демонстрационный образец двунаправленного переключателя BDS на 650 В CoolGaN™.

Сотрудники сайта представили этот адаптер Thunderbird 280W с чипом Infineon GaN, зарядное устройство GaN дает новый импульс роста игровому рынку ноутбуков, чип GaN от Infineon делает адаптер меньше, легче, мощнее и экологичнее, в адаптере используются два транзистора GS-065-030-2-L GaN.

В этом году большим успехом пользуется трек «Гуманоидная робототехника». В связи с быстрым развитием гуманоидных роботов все более востребованными становятся продукты с высокой плотностью мощности моторного привода. Основываясь на оригинальных полупроводниковых переключающих устройствах на основе кремния, разработанных для моторного привода, для улучшения плотности мощности программа имеет более сложную задачу, с помощью Infineon представила программу среднего напряжения GaN моторного привода, частота переключения может быть увеличена с 20KHz до 100KHz, что в свою очередь значительно улучшает плотность мощности. Более того, увеличение частоты переключения помогает улучшить производительность двигателя и редуктора, тем самым повышая эффективность системы в целом.

На выставке внимание журналистов привлек 650-вольтовый двунаправленный переключатель (BDS) из нитрида галлия компании Infineon. Этот продукт является первым в отрасли концептуальным устройством для двунаправленного переключения. В таких приложениях, как топология, один CoolGaN™ BDS может выполнять функции, которые раньше могли быть реализованы только с помощью четырех микросхем, упрощая проектирование традиционно сложных схем с двусторонними переключателями, значительно повышая производительность и оптимизируя затраты. Продукт может использоваться в таких приложениях, как материнские платы и ИБП в серверах, OVP и USB-OTG в бытовой электронике, а также управление батареями в электроинструментах. Этот продукт имеет широкий спектр применения в «умном доме» и промышленном секторе.

На выставке PCIM компания Infineon представила полумостовой модуль TRENCHSTOP IGBT7 PrimePACK 3+ 1200 В, модуль PrimPACK3+ 2300 В 1800 А IGBT7. Сотрудники выставки рассказали, что технология IGBT7 имеет меньшие потери на переключение по сравнению с технологией предыдущего поколения, а благодаря использованию 12-дюймовых пластин для IGBT7, преимущество в стоимости очевидно. Например, статические потери 62-миллиметровых модулей с микротраншейной технологией 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 значительно ниже, чем у модулей, оснащенных микросхемами IGBT4. Эти характеристики значительно снижают потери в приложениях, особенно в промышленных электроприводах, работающих на умеренных частотах переключения. Основные сценарии применения этих продуктов включают централизованные фотоэлектрические инверторы мегаваттной мощности и накопители энергии, источники бесперебойного питания (ИБП), моторные приводы общего назначения и твердотельные автоматические выключатели для новых приложений.

Более того, для платформы серверов AI с выходным напряжением 54 В компания Infineon разработала специализированную демонстрационную плату БП мощностью 3,3 кВт, в которой используются разработки Infineon CoolGaN™, CoolSiC™ и CoolMOS™, а также собственные микросхемы управления Infineon, такие как серия XMC, и другие комплексные решения, и достигается полная базовая эффективность 97,5%, при плотности мощности до 96 Вт на дюйм. куб. см, что позволяет решить проблему высокой мощности блоков питания в центрах обработки данных.