Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

28 августа 2024 г. - ON Semiconductor поставляет последнее поколение гибридных силовых интегральных модулей (PIM) из кремния и карбида кремния в корпусе F5BP, идеально подходящих для повышения мощности крупных солнечных струнных инверторов или систем накопления энергии (ESS). По сравнению с предыдущими поколениями, эти модули обладают более высокой плотностью мощности и эффективностью при том же размере, увеличивая общую мощность системы солнечных инверторов с 300 кВт до 350 кВт. Это означает, что крупные солнечные фермы с установленной мощностью в один гигаватт, использующие модули последнего поколения, могут обеспечить экономию энергии почти в два мегаватта в час, что эквивалентно энергоснабжению более 700 домов в год. Кроме того, для достижения той же мощности, что и у предыдущего поколения, требуется меньше модулей, что позволяет снизить стоимость компонентов для силовых устройств более чем на 25 процентов.

Благодаря самой низкой стоимости энергии (LCOE), солнечная энергия все чаще становится предпочтительным выбором для производства возобновляемой энергии в мире. Чтобы компенсировать нестабильность солнечной энергии, операторы коммунальных служб также добавляют крупномасштабные аккумуляторные системы хранения энергии (BESS) для обеспечения стабильной подачи энергии в сеть. Для поддержки такой комбинации систем производителям и коммунальным службам необходимы решения, обеспечивающие высочайшую эффективность и надежность преобразования энергии. Каждое повышение эффективности на 0,1 процента может привести к ежегодной экономии эксплуатационных расходов в размере 250 000 долларов на гигаватт установленной мощности.

«Поскольку солнечный свет является нестабильным источником энергии, нам необходимо постоянно повышать эффективность и надежность системы с помощью передовых решений для хранения энергии, чтобы обеспечить стабильность и надежность глобальной энергосистемы в периоды пикового и непикового спроса на электроэнергию». Сраван Ванапарти, вице-президент по промышленной энергетике бизнес-группы ON Power Solutions, сказал: «Более эффективная инфраструктура будет способствовать внедрению и обеспечит, что по мере строительства новых объектов солнечной энергетики меньше энергии будет расходоваться впустую, что будет способствовать отказу от ископаемого топлива».

В F5BP-PIM интегрированы 1050-вольтовый IGBT FS7 и 1200-вольтовый диод D3 EliteSiC, обеспечивающие высоковольтное и сильноточное преобразование при снижении энергопотребления и повышении надежности. FS7 IGBT имеет низкие потери при выключении, снижая потери при переключении до 8 процентов, а диод EliteSiC обеспечивает превосходные характеристики переключения, на 15 процентов снижая падение напряжения (VF) в включенном состоянии по сравнению с предыдущими поколениями. (VF) снижено на 15 процентов по сравнению с предыдущими поколениями.

Эти PIM включают в себя инверторный модуль с инновационной топологией зажима средней точки типа I (INPC) и повышающий модуль с топологией летающего поперечного конденсатора. В этих модулях также используется оптимизированная электрическая схема и усовершенствованные подложки с прямым медным соединением (DBC) для снижения паразитной индуктивности и теплового сопротивления. Кроме того, медная подложка позволяет снизить тепловое сопротивление между спаем и радиатором на 9,3 %, обеспечивая охлаждение модуля при высокой нагрузке. Такая терморегуляция имеет решающее значение для поддержания эффективности и долговечности модуля, что делает его очень эффективным в сложных приложениях, требующих надежного и непрерывного питания.