Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Недавно Ассоциация твердотельных технологий JEDEC объявила о скором запуске стандартов технологий DDR5 MRDIMM и LPDDR6 CAMM. До официального выпуска стандартов SK Hynix, Samsung, Micron и другие производители уже начали исследования и разработку продуктов DDR5 MRDIMM и выпустили соответствующие решения.DDR5 MRDIMM будет питать следующее поколение высокопроизводительных вычислений и приложений искусственного интеллекта. Ассоциация твердотельных технологий JEDEC отметила, что модули памяти DDR5 Multiplexed Rank Dual Inline Memory Modules (Multiplexed Rank DIMMs) представляют собой инновационный и эффективный новый дизайн модуля, который повышает скорость передачи данных и общую производительность системы. Мультиплексирование позволяет объединять и передавать несколько сигналов данных по одному каналу, эффективно увеличивая пропускную способность без необходимости дополнительных физических соединений и обеспечивая плавное увеличение пропускной способности, что позволяет приложениям превышать скорость передачи данных DDR5 RDIMM. Кроме того, JEDEC ожидает, что скорость MRDIMM будет начинаться с 8 800 МТ/с и увеличится до 17 600 МТ/с к третьему поколению технологии. До появления MRDIMM компании AMD и Intel предлагали смежные решения памяти. AMD предложила решение HBDIMM, Intel предложила MCR-DIMM, а затем JEDEC совместно с AMD разработала решение MRDIMM. Позже JEDEC и AMD совместно разработали HBDIMM в качестве стандарта MRDIMM. Два года назад компания SK Hynix успешно разработала MCR DIMM в сотрудничестве с Intel и Renesas Electronics. Минимальная скорость передачи данных этого продукта достигает 8 Гбит/с, что более чем на 80 % выше, чем у текущего продукта DDR5, составляющего 4,8 Гбит/с.

MCR DIMM - это модульный продукт, объединяющий несколько модулей DRAM на одной материнской плате, способный работать с двумя колонками памяти одновременно. Ранк - это основная единица передачи данных от модуля DRAM к центральному процессору. Обычно RANK может передавать процессору 64 байта данных. В модуле MCR DIMM две колонки памяти, работающие одновременно, могут передавать процессору 128 байт данных. Увеличение количества данных, передаваемых в ЦП за один раз, повышает скорость передачи данных до более чем 8 Гбит/с, что вдвое больше, чем у одной DRAM.

Для передачи 128 байт данных SK Hynix задействует две колонки памяти одновременно, используя буфер данных, установленный в модулях MCR DIMM на основе технологии MCR от Intel. Буфер - это компонент, устанавливаемый в модуль памяти для оптимизации производительности передачи сигнала между DRAM и процессором. Успешная разработка этого модуля стала возможной благодаря возможностям SK Hynix по проектированию модулей DRAM, процессору Xeon от Intel и технологии буферов от Renesas Electronics. Таким образом, это результат сотрудничества между тремя производителями. Последняя новость заключается в том, что SK Hynix выпустит 32 Гб DDR5 DRAM для серверов и продукты MCRDIMM для высокопроизводительных вычислений во второй половине 2024 года. В июне этого года компания Samsung объявила о разработке модуля MRDIMM, который обеспечивает увеличение объема памяти и пропускной способности без необходимости добавления слотов памяти на материнских платах серверов. Модуль удваивает пропускную способность существующих компонентов DRAM, объединяя два компонента DDR5 и обеспечивая скорость передачи данных до 8,8 Гбит/с. Ожидается, что модули MRDIMM будут активно использоваться в приложениях искусственного интеллекта, требующих высокопроизводительных вычислений (HPC) для обработки данных и выполнения сложных расчетов на высоких скоростях. Недавно компания Micron Technology также объявила о начале пробного выпуска модулей MRDIMM, которые начнут поставляться во второй половине 2024 года. По сравнению с модулями RDIMM, модули MRDIMM обеспечивают на 39 % более высокую эффективную пропускную способность памяти и более чем на 15 % более высокую эффективность шины (примечание: обе цифры основаны на эмпирических данных инструмента Intel Memory Latency Checker (MLC), который сравнивает 128 ГБ MRDIMM со скоростью 8800 МТ/с со 128 ГБ RDIMM со скоростью 6400 МТ/с), а также на 40 % более низкую задержку (примечание: обе цифры основаны на эмпирических данных инструмента Intel Memory Latency Checker (MLC). ), со снижением задержек до 40 процентов (примечание: эти данные основаны на эмпирических данных Stream Triad, сравнивающих 128 ГБ MRDIMM 8800 МТ/с со 128 ГБ RDIMM 6400 МТ/с). Micron утверждает, что последующие поколения MRDIMM будут продолжать обеспечивать до 45% более высокую пропускную способность одноканальной памяти по сравнению с аналогами RDIMM.

MRDIMM поддерживают емкость от 32 до 256 ГБ в стандартном и высоком форм-факторах (TFF) для высокопроизводительных серверов 1U и 2U. Благодаря оптимизированному тепловому режиму модулей TFF температура DRAM может быть снижена на 20 градусов Цельсия при том же энергопотреблении и воздушном потоке. При использовании чипов DRAM 32 Гб в модулях TFF MRDIMM емкостью 256 Гб достигаются те же показатели энергопотребления, что и в модулях TFF MRDIMM емкостью 128 Гб с чипами 16 Гб. При максимальной скорости передачи данных TFF MRDIMM емкостью 256 ГБ на 35 % превосходят по производительности TSV RDIMM той же емкости. С помощью 256 ГБ TFF MRDIMM центры обработки данных могут достичь беспрецедентных преимуществ по совокупной стоимости владения (TCO) по сравнению с TSV RDIMM. Будучи первым поколением семейства MRDIMM от Micron, в настоящее время они совместимы только с процессорами Intel Xeon 6. Благодаря интерфейсу и технологии DDR5, MRDIMM обеспечивают беспрепятственную совместимость с существующими процессорными платформами Intel Xeon 6, предоставляя клиентам больше гибкости и выбора, - говорит Мэтт Лэнгман, вице-президент и генеральный менеджер Intel по управлению продуктами Xeon 6 для центров обработки данных.