Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

Сеть резисторов

Первая страница /динамика компании /

Infineon представляет МОП-транзистор автомобильного класса (IPW65R115CFD7A) 650 В CoolMOS™ N-Channel

Infineon представляет МОП-транзистор автомобильного класса (IPW65R115CFD7A) 650 В CoolMOS™ N-Channel

Источник:этот сайтвремя:2024-07-24количество просмотров:

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd Импортированный оригинальный Infineon запускает автомобильный класс MOSFET (IPW65R115CFD7A) 650V CoolMOS™ N-канальный автомобильный к…

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd Импортированный оригинальный Infineon запускает автомобильный класс MOSFET (IPW65R115CFD7A) 650V CoolMOS™ N-канальный автомобильный класс SJ Power MOSFET CFD7A


Описание устройства

IPW65R115CFD7A с сопротивлением 115 мОм в корпусе TO-247 является частью семейства силовых МОП-транзисторов CoolMOS™ SJ CFD7A, сертифицированных по автомобильному классу 650 В. По сравнению со своим предшественником CoolMOS™ CFD7A обеспечивает более высокую надежность и удельную мощность при повышенной гибкости проектирования.


Описание характеристик

Соответствует сертификации AEC-Q101

Напряжение батареи до 475 В без ущерба для стандартов надежности

Повышение эффективности до 98,4% в топологиях с жестким и мягким переключением

Внутреннее быстродействие корпусных диодов Qrr на 30 % ниже, чем у CoolMOS™ CFDA


Атрибуты продукта

Производитель Infineon Technologies  

Серия CoolMOS™ CFD7A  

Упаковка Трубка  

Статус детали Продается  

Тип N-канальный транзистор  

Технология MOSFET (оксид металла)  

Напряжение сток-исток (Vdss) 650 В  

Ток при 25°C - непрерывный ток стока (Id) 21A (Tc)  

Напряжение питания (макс. Rds On, мин. Rds On) 10 В  

Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs 115 мОм @ 9.7A, 10V  

Vgs(th) при различных Id (макс.) 4.5V @ 490µA  

Заряд затвора (Qg) при Vgs (макс.) 41 нК при 10 В  

Vgs (max) ±20V  

Входная емкость (Ciss) при различных Vds (макс.) 1950 пФ @ 400 В  

Функция FET -  

Рассеиваемая мощность (макс.) 114 Вт (Tc)  

Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)  

Класс Автомобильный класс  

Квалификация AEC-Q101  

Тип монтажа сквозное отверстие  

Поставщик Упаковка устройства PG-TO247-3-41  

Упаковка/корпус TO-247-3 


Потенциальные области применения

Автомобильные зарядные устройства

Топологии с жестким переключением (с SiC диодами)

Повышающий каскад КРМ

DC-DC каскады для автомобильных зарядных устройств

Высоковольтные DC-DC преобразователи

LLC или полный мостовой сдвиг фаз (ZVS)

Вспомогательные источники питания

компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler